복수의 레이어 구조를 포함하는 스텐트 및 이의 제조방법

Stent Having Multiple Layer Structure and Its Manufacturing Method

• 출원번호

  10-2017-0007967

• 출원일

  2017-01-17

• 공개번호

  10-2018-0084401

• 공개일

  2018-07-25

• 등록번호

  10-1905687

• 등록일

  2018-10-01

본 발명에 따른 복수의 레이어 구조를 포함하는 스텐트는, 인체 내 기관의 협착부위에 삽입되어 상기 기관의 내경을 확보하는 스텐트에 있어서, 내부에 중공이 형성되며, 둘레 외측 방향으로 다단 적층 구조를 형성하는 복수의 레이어부 및 상기 복수의 레이어부 중 적어도 하나 이상의 내부, 내주면 및 외주면 중 적어도 어느 하나에는 소정의 약물을 포함하는 약물함유부를 포함한다.

함량이 변하는 페로브스카이트 나노결정입자 발광체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 발광소자

Perovskite nanocrystal particle emitters having gradient-alloy structure, method of manufacturing the same and electroluminescence devices using the same

• 출원번호

  10-2015-0156170

• 출원일

  2015-11-06

• 공개번호

  10-2016-0055089

• 공개일

  2016-05-17

• 등록번호

  10-1746295

• 등록일

  2017-06-05

그래디언트 구조의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 나노결정입자 발광체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 발광소자를 제공한다. 그래디언트 구조의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 나노결정입자 발광체는 유기 용매에 분산이 가능한 유무기 하이브리드 페로브스카이트 나노결정을 포함하고, 상기 나노결정은 중심에서 외부방향으로 갈수록 조성이 변하는 그래디언트 조성을 갖는다. 따라서, 나노결정 내의 점진적인 함량 변화는 나노결정 내의 분율을 균일하게 조절하고, 표면 산화를 줄여 내부에 다량 존재하는 페로브스카이트 안에서의 엑시톤 구속 (exciton confinement)를 향상시켜 발광 효율을 증가시킬 뿐만 아니라 내구성-안정성도 증가시킬 수 있다.

저밀도 패리티 검사 부호를 사용하는 통신 시스템에서 채널 부호/복호 방법 및 장치

APPARATUS AND METHOD FOR CHANNEL ENCODING AND DECODING IN COMMUNICATION SYSTEM USING LOW-DENSITY PARITY-CHECK CODES

• 출원번호

  10-2008-0025144

• 출원일

  2008-03-18

• 공개번호

  10-2009-0092197

• 공개일

  2009-08-31

• 등록번호

  10-1503059

• 등록일

  2015-03-10

본 발명은 고차 변조(High Order Modulation) 방식을 적용하는 통신 시스템에서 저밀도 패리티 검사(low density parity check, 이하 LDPC) 부호를 사용함에 있어서, 구조적인 LDPC 부호로부터 다양한 부호어 크기를 생성하는 채널 부호화/복호화 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 다양한 부호어 길이를 지원하기 위하여 단축(shortening) 또는 천공(puncturing)을 적용함에 있어서 고차 변조 방식을 고려하여 최적화된 단축 및 천공 패턴을 구하는 방법을 제안하고, 상기 단축 및 천공 패턴을 상기 LDPC 부호의 패리티 검사 행렬에 적용한 후, 단축이 필요할 경우에 단축을 취한 다음에 정보 데이터 비트들이 입력되면 상기 패리티 검사 행렬을 이용하여 미리 설정되어 있는 부호화 방식으로 부호화하여 LDPC 부호어를 생성하고 천공이 필요할 경우에 천공을 적용하여 전송한다.

열전기화학 전지 시스템

THERMOELECTRIC CELL SYSTEM

• 출원번호

  10-2021-0085343

• 출원일

  2021-06-30

• 공개번호

  10-2023-0004984

• 공개일

  2023-01-09

• 등록번호

  10-2711707

• 등록일

  2024-09-25

본 발명은 열전기화학 전지 시스템에 관한 것으로서, 구체적으로는 pH가 중성인 전해질에서 비귀금속계 탄화물을 전극의 소재로 하여 제백계수가 낮아져 변환 효율이 떨어짐을 방지하고 전극이 산화되지 않도록 함으로써 경제성이 우수하여 상용화 가능성이 높은 비귀금속계 탄화물 전극을 이용한 열전기화학 전지 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 비귀금속계 금속 탄화물을 전극의 소재로 채택하여 종래의 귀금속계 금속 또는 비귀금속계 금속을 전극의 소재로 사용할 때에 비해 전극의 부식 및 용해 현상이 발생되지 않으므로 경제성을 확보할 수 있다는 장점이 있으며, pH가 중성인 상태인 전해질을 채택하여 사용함으로써 알칼리성 상태의 전해질을 채택한 경우에 비해 제벡계수가 낮아지는 문제점을 보완함으로써 변환 효율에서 손해를 보지 않도록 한다는 다른 장점이 있다.

전력변환장치, 및 이를 구비하는 태양광 모듈

Power converting device and and photovoltaic module including the same

• 출원번호

  10-2017-0026408

• 출원일

  2017-02-28

• 공개번호

  10-2018-0099244

• 공개일

  2018-09-05

• 등록번호

  10-2614497

• 등록일

  2023-12-12

본 발명은 전력변환장치, 및 이를 구비하는 태양광 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 전력변환장치는, 입력되는 제1 직류 전원의 레벨을 변환하는 컨버터부와, 컨버터부로부터의 제2 직류 전원을 교류 전원으로 변환하는 인버터부와, 컨버터부와 인버터부를 제어하는 제어부를 포함하고, 컨버터부는, 서로 직렬 접속되는, 제1 스위칭 소자, 및 제2 스위칭 소자와, 제1 스위칭 소자, 및 제2 스위칭 소자 중 제2 스위칭 소자에, 하프 브릿지로 접속되는 트랜스포머와, 제1 스위칭 소자와 제2 스위칭 소자 사이에 접속되며, 제1 직류 전원이 입력되는 제1 인덕터와, 제1 스위칭 소자의 양단 사이에, 서로 직렬 접속되는 제2 인덕터와, 부스트 커패시터를 포함한다. 이에 의해, 2 스테이지의 전력변환장치 내에서 스위칭 손실을 저감할 수 있게 된다.

III족 및 V족 원소를 포함하는 할로겐 원소 도핑 나노클러스터 알코올 센서 및 알코올 정제방법

Alcohol sensors of nanoclusters comprising group III and V elements doped with halogen, and methods for purifying an alcohol

• 출원번호

  10-2020-0121485

• 출원일

  2020-09-21

• 공개번호

  10-2022-0038982

• 공개일

  2022-03-29

• 등록번호

  10-2504357

• 등록일

  2023-02-22

본 발명은 III족 및 V족 원소를 포함하는 할로겐 원소 도핑 나노클러스터를 포함하는 알코올 센서 및 알코올 정제방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 할로겐 원소가 도핑된 III족 원소 및 V족 원소 기반 나노클러스터로부터 제조된 필름을 알코올 센서로 이용하고, 상기 필름으로부터 서로 다른 탄소수의 알코올 혼합물로부터 특정 알코올을 분리 및 정제하는 방법 및 알코올 이성질체로부터 특정 이성질체를 분리 및 정제하는 방법에 관한 것이다.

촉매 나노 공간을 가진 플라즈몬 이중층 구조의 나노 카탈로좀 및 이의 제조방법

Nanocatalosomes as plasmonic bilayer-shells with interlayer catalytic hot nanospaces and the manufacturing method thereof

• 출원번호

  10-2020-0029141

• 출원일

  2020-03-09

• 공개번호

  10-2021-0113865

• 공개일

  2021-09-17

• 등록번호

  10-2360970

• 등록일

  2022-02-04

본 개시는 내부가 비어있는 구형의 다공성 아민 실리카 나노쉘을 준비하는 단계; 상기 다공성 아민 실리카 나노쉘에 금속 염화물을 처리하여 다공성 아민 실리카 나노쉘의 내부 표면 및 외부 표면에 금속 나노 입자 시드를 도입하는 단계; 상기 금속 나노 입자 시드가 도입된 다공성 아민 실리카 나노쉘에 탄닌산-Fe (TA-Fe) 배위 고분자층을 코팅하는 단계; 및 상기 금속 염화물 및 환원제를 처리하여 상기 탄닌산-Fe 배위 고분자층이 코팅된 다공성 아민 실리카 나노쉘에 포함된 금속 나노 입자 시드를 성장시키는 단계; 를 포함하는 금속 이중층 형태의 나노 카탈로좀 제조방법 및 이로부터 제조된 금속 이중층 형태의 나노 카탈로좀에 관한 것이다.

리튬 이차전지용 양극 활물질 및 그 제조 방법

POSITIVE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY AND MANUFACTURING MATHOD FOR THE SAME

• 출원번호

  10-2019-0029179

• 출원일

  2019-03-14

• 공개번호

  10-2019-0109285

• 공개일

  2019-09-25

• 등록번호

  10-2189056

• 등록일

  2020-12-03

본 발명은 새로운 조성, 비-암염 구조 및 새로운 국부구조를 가지며, 전기화학적 활성도가 현저하게 증가되어, 고용량 에너지를 구현하고 전기화학적 성능이 매우 향상된 양극 활물질과 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양극 활물질은, 하기 [화학식 1]의 조성을 가지며, 비-암염구조의 층상구조로 이루어지고, 공간 평형도(site balance)에 맞지 않게 리튬이 과량으로 존재하며, 상기 과량으로 존재하는 리튬은 팔면체 공간(octahedral site)과 사면체 공간(tetrahedral site)에 들어가는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] Li1+x+yM1-yO2 (x는 과량의 리튬이 리튬 층와 전이금속 층 사이의 사면체 공간에 들어가는 양이고, y는 과량의 리튬이 전이금속 층의 팔면체 공간에 들어가는 양이며, x 및 y는 전하 중성도를 만족하는 값, 0<1, M은 Al, Mg, Mn, Ni, Co, Cr, V, Fe, Nb, Mo, Ru, Zr 및 Ir와, 이들을 제외한 3d, 4d, 5d 전이금속 중에서 선택된 1종 이상)

휘발성 유기 화합물 분해 촉매

VOLATILE ORGANIC COMPOUND DECOMPOSITION CATALYST

• 출원번호

  10-2017-0155882

• 출원일

  2017-11-21

• 공개번호

  10-2019-0058159

• 공개일

  2019-05-29

• 등록번호

  10-2040093

• 등록일

  2019-10-29

본 발명의 휘발성 유기 화합물 분해 촉매는, 단일 성분계 금속 산화물, 다성분계 복합 금속 산화물, 또는 다성분계 금속과 금속 산화물로 형성되는 활성 성분; 및 상기 활성 성분을 담지하도록 형성되는 산화물 지지체를 포함하고, 상기 활성 성분의 함량은 휘발성 유기 화합물 분해 촉매의 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%다.

삼차원 적층구조의 듀얼 게이트 박막 트랜지스터 논리 회로

LOGIC CIRCUITRY USING THREE DIMENSIONALLY STACKED DUAL-GATE THIN-FILM TRANSISTORS

• 출원번호

  10-2017-0027005

• 출원일

  2017-03-02

• 공개번호

  10-2018-0100785

• 공개일

  2018-09-12

• 등록번호

  10-1905717

• 등록일

  2018-10-01

기판, 기판 상에 위치하는 제1 듀얼 게이트 박막 트랜지스터; 상기 제1 듀얼 게이트 트랜지스터 상에 위치하는 제2 듀얼 게이트 박막 트랜지스터; 및 상기 제2 듀얼 게이트 박막 트랜지스터 상에 위치하는 제3 듀얼 게이트 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 듀얼 게이트 박막 트랜지스터, 제2 듀얼 게이트 박막 트랜지스터 및 제3 듀얼 게이트 박막 트랜지스터는 서로 전기적으로 연결되는 삼차원 적층 구조의 듀얼 게이트 박막 트랜지스터 논리회로에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 듀얼 게이트 박막 트랜지스터 여러 층을 삼차원으로 적층하여 듀얼 게이트 구조와 박막 트랜지스터의 장점들을 한꺼번에 가져옴과 동시에 집적도를 비약적으로 향상 시킬 수 있으며, 또한, 하나의 단위 논리 게이트가 하나의 트랜지스터 면적에 제작되어 배선과 회로 설계가 훨씬 간단해지는 효과가 있다.