포스텍 공개특허
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- IT 정보통신기술
- 영상 및 방송통신
흑백 이미지 내에 포함된 픽셀들 각각의 색상을 생성하기 위한 전자 장치, 방법, 및 컴퓨터 판독 가능 저장 매체
ELECTRONIC DEVICE, METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM FOR GENERATING COLOR OF EACH OF PIXELS INCLUDED IN MONOCHROME IMAGE
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출원번호
10-2022-0114554 -
출원일
2022-09-08 -
공개번호
10-2024-0030849 -
공개일
2024-03-07
일 실시예에 따른 전자 장치는, 메모리, 및 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 프로세서는, 인코딩 레이어들에 기반하여 흑백 이미지로부터, 상기 흑백 이미지에 포함된 픽셀들의 개수들 보다 작은 개수의 파라미터들이 복수의 차원들에 기반하여 배열된, 특징 정보를 획득할 수 있다. 상기 프로세서는, 상기 흑백 이미지 내에 포함된 적어도 하나의 피사체를 분류한 클래스 정보를 획득할 수 있다. 상기 프로세서는, 상기 인코딩 레이어들에 대응하고, 상기 특징 정보, 및 상기 클래스 정보가 입력된, 디코딩 레이어들에 기반하여, 상기 흑백 이미지에 포함된 픽셀들 각각의 색상들을 획득할 수 있다.
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- IT 정보통신기술
- 유무선 및 이동통신
안테나 소자 및 안테나 장치
Antenna element and Antenna apparatus
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출원번호
10-2021-0092740 -
출원일
2021-07-15 -
공개번호
10-2023-0012224 -
공개일
2023-01-26 -
등록번호
10-2534066 -
등록일
2023-05-15
일 양상에 따른 안테나 소자는 하부 그라운드; 상기 하부 그라운드의 상부에 배치되는 방사체; 상기 방사체에 신호를 인가하는 급전부; 상기 하부 그라운드의 상부에 상기 방사체 및 상기 급전부와 이격되어 배치되는 상부 그라운드; 및 상기 하부 그라운드와 상기 상부 그라운드를 연결하는 둘 이상의 비아; 를 포함한다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
에너지 수확 장치
ENERGY HARVESTING DEVICE
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출원번호
10-2024-0101153 -
출원일
2024-07-30 -
공개번호
10-2026-0017857 -
공개일
2026-02-06
일 실시예에 따른 에너지 수확 장치는 질량 플레이트와 결함이 형성되는 결함 플레이트를 포함하는 질량부, 질량 플레이트 및 결함 플레이트와 연결되도록 마련되는 지지부 및 결함 플레이트에 결합되도록 마련되는 에너지 수확부를 포함하고, 질량 플레이트 및 결함 플레이트는 제1 방향을 따라 배치되고, 결함 플레이트의 제1 방향으로의 두께는, 질량 플레이트의 제1 방향으로의 두께보다 얇다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
수평 정렬된 다층 유전 탄성체 액추에이터 및 그의 제조방법
LATERALLY MULTILAYERED DIELECTRIC ELASTOMER ACTUATOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
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출원번호
10-2023-0021383 -
출원일
2023-02-17 -
공개번호
10-2024-0128321 -
공개일
2024-08-26 -
등록번호
10-2809185 -
등록일
2025-05-13
수평 정렬된 다층 유전 탄성체 액추에이터 및 그의 제조방법이 개시된다. 상기 액추에이터는 소정 두께의 제1 빗(comb) 형상을 갖는 제1 패턴(110) 및 소정 두께의 제2 빗 형상을 갖는 제2 패턴(120)을 포함하는 고분자 프레임(100); 상기 제1 패턴(110)의 일부분 상에 형성되는 제1 전극(210) 및 상기 제2 패턴(120)의 일부분 상에 형성되는 제2 전극(220)을 포함하는 전극(200); 및 상기 제1 전극(210)과 상기 제2 전극(220) 사이에 형성되고, 유전 탄성체를 포함하는 유전 탄성부(300);를 포함한다. 상기 액추에이터는 수평방향으로 액추에이터를 적층시키기 때문에 다수(수~수천)의 유전 탄성체 액추에이터를 적층시키면서도 매우 얇은 박막(<50 μm) 형태로 제작이 가능하다.
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- ET 환경공학기술
- 기후변화 대응 및 적응
황화물계 고체 전해질의 제조방법, 이를 이용하여 제조한 황화물계 고체 전해질 및 이를 포함하는 전고체 전지
METHOD FOR PRODUCING SULFIDE-BASED SOLID ELECTROLYTE, SULFIDE-BASED SOLID ELECTROLYTE MANUFACTURED USING THE SAME, AND ALL-SOLID-STATE BATTERY CONTAINING THE SAME
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출원번호
10-2024-0034500 -
출원일
2024-03-12 -
공개번호
10-2025-0137915 -
공개일
2025-09-19
본 발명은 황화물계 고체 전해질의 제조방법, 이를 이용하여 제조한 황화물계 고체 전해질 및 이를 포함하는 전고체 전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 아지로다이트 결정 구조를 가지며 하기 화학식 1로 표시되는 제1 전구체를 준비하는 것; 주석(Sn)을 포함하는 제2 전구체를 준비하는 것; 상기 제1 전구체 및 제2 전구체를 혼합하여 제1 혼합물을 형성하는 것; 및 상기 제1 혼합물을 열처리하는 것; 을 포함하되, 상기 제1 혼합물을 열처리하는 것의 온도는 상기 제1 혼합물을 형성하는 것의 온도보다 높다: [화학식 1] Li7-aM1aPS6-bXb 상기 화학식 1에서, 상기 X는 F, Br, Cl 또는 이들의 조합이고, 상기 M1은 칸듐(Sc), 이트륨(Y), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 규소(Si), 저마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 비소(As), 안티모니(Sb), 비스무트(Bi) 또는 이들의 조합이다.
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- ET 환경공학기술
- 기후변화 대응 및 적응
양방향 공진형 직류-직류 컨버터를 이용한 전력 변환 장치 및 방법
BIDIRECTIONAL RESONANT DC-DC CONVERTER HAVING NO SWITCING LOSS, APPARATUS AND METHOD FOR POWER CONVERSION USING THEM
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출원번호
10-2022-0099788 -
출원일
2022-08-10 -
공개번호
10-2024-0021451 -
공개일
2024-02-19 -
등록번호
10-2735197 -
등록일
2024-11-22
본 발명은 전력 변환 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스위칭 손실이 적은 고효율의 양방향 공진형 직류-직류 컨버터 및 이를 이용한 전력 변환 기술에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 무 스위치 손실을 갖는 공진형 직류-직류 컨버터 전력 변환 장치를 이용하여 넓은 전압 범위에서 스위칭 손실을 최소화하고 고효율의 양방향 직류-직류 변환을 할 수 있다.
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- IT 정보통신기술
- 전자회로 및 제어시스템
합금을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치
HOUSING INCLUDING ALLOY AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SAME
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출원번호
10-2022-0107709 -
출원일
2022-08-26 -
공개번호
10-2024-0029365 -
공개일
2024-03-05
하우징은, 합금을 포함한다. 상기 합금은, 알루미늄(Al) 20 내지 33.33 at%, 바나듐(V) 33.33 내지 40 at%, 및 크롬(Cr) 33.33 내지 40 at%를 포함한다. 이 외에 다양한 실시예가 가능하다.
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- Machinery 기계
- 정밀 측정 및 계측기기
액정을 이용한 표면 분석 방법
Method for detection and diagnosis of surface patterns using liquid crystals
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출원번호
10-2021-0095356 -
출원일
2021-07-21 -
공개번호
10-2022-0012820 -
공개일
2022-02-04 -
등록번호
10-2532902 -
등록일
2023-05-11
본 발명의 실시 예에 따른 표면 분석 방법은 나노 패턴이 형성된 기판 표면에 액정 분자를 포함하는 액정층을 도포하는 도포 단계; 편광현미경을 이용해 상기 기판을 스캐닝하는 스캐닝 단계; 및 상기 스캐닝 단계에서 관찰된 이미지를 분석하여, 상기 기판의 결함을 분석하는 분석 단계; 를 포함하는 표면 분석 방법을 개시한다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 나노 전자 소재 및 부품
플라즈마 장치
PLASMA APPARATUS
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출원번호
10-2024-0101291 -
출원일
2024-07-30 -
공개번호
10-2026-0017901 -
공개일
2026-02-06
본 개시의 플라즈마 장치는 챔버, 챔버 내에 배치되는 제1 전극 및 제1 전극과 이격된 제2 전극, 제1 전극에 비정현파 전력을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 RF 전원, RF 전원으로부터 인가되는 비정현파 전력의 시간에 따른 전압 데이터 및 시간에 따른 전류 데이터를 측정하는 측정부 및 측정부로부터 시간에 따른 전압 데이터 및 시간에 따른 전류 데이터를 수신하고, 시간에 따른 전압 데이터 및 시간에 따른 전류 데이터에 기초하여, 플라즈마와 연관된 확장된 임피던스를 계산하는 제어부를 포함하고, 확장된 임피던스는 복수의 주파수와 연관된 비정현파 전력을 대표하는 단일 복소수 값을 가질 수 있다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
반도체 소자 및 이의 제조 방법
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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출원번호
10-2024-0077058 -
출원일
2024-06-13 -
등록번호
10-2863834 -
등록일
2025-09-19
본 발명의 개념에 따른 반도체 소자는 기판, 상기 기판 상의 인접하게 배치되는 제1 이차원 물질 패턴, 제2 이차원 물질 패턴, 및 이들 사이의 거울 쌍 경계(mirror twin boundary), 상기 거울 쌍 경계 상의 채널 층, 및 상기 채널 층의 일 측 및 타 측 상에 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극들을 포함한다.