충전식 리튬 이온 고체 전지용 분말상 고체 전해질 화합물

POWDEROUS SOLID ELECTROLYTE COMPOUND FOR SOLID-STATE RECHARGEABLE LITHIUM ION BATTERY

• 출원번호

  10-2021-7029927

• 출원일

  2020-02-19

• 공개번호

  10-2021-0118481

• 공개일

  2021-09-30

• 등록번호

  10-2660233

• 등록일

  2024-04-19

일반식 Li(3.5+L+x)Si(0.5+s-x)P(0.5+p-x)Ge2xO4+a를 갖는 화합물을 포함하는 충전식 리튬 이온 고체 전지에 적합한 고용체 전해질로서, 상기 일반식에서 -0.10≤L≤0.10, -0.10≤s≤0.10, -0.10≤p≤0.10, -0.40≤a≤0.40, 및 0.0

다른 문턱 전압들을 갖는 트랜지스터들을 포함하는 인버터 및 이를 포함하는 메모리 셀

INVERTER INCLUDING TRANSISTORS HAVING DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES AND MEMORY CELL INCLUDING SAME

• 출원번호

  10-2022-0134349

• 출원일

  2022-10-18

• 공개번호

  10-2023-0081606

• 공개일

  2023-06-07

본 개시에 따른 인버터는 드레인 전압을 수신하는 노드 및 제1 패스 노드 사이에 연결되고, 입력 전압에 기초하여 동작하는 제1 P-MOS 트랜지스터, 제1 패스 노드 및 출력 전압을 출력하는 출력 단자 사이에 연결되고, 드레인 전압에 기초하여 동작하는 제1 N-MOS 트랜지스터, 출력 단자 및 제2 패스 노드 사이에 연결되고, 접지 전압에 기초하여 동작하는 제2 P-MOS 트랜지스터, 제2 패스 노드 및 접지 전압을 수신하는 노드 사이에 연결되고, 입력 전압에 기초하여 동작하는 제2 N-MOS 트랜지스터, 제1 패스 노드 및 제2 패스 노드 사이에 연결되고, 입력 전압에 기초하여 동작하는 제3 P-MOS 트랜지스터, 및 제1 패스 노드 및 제2 패스 노드 사이에 연결되고, 입력 전압에 기초하여 동작하는 제3 N-MOS 트랜지스터를 포함하되, 제1 P-MOS 트랜지스터는 제1 문턱 전압을 갖고, 제2 P-MOS 트랜지스터 및 제3 P-MOS 트랜지스터 각각은 제1 문턱 전압보다 높은 제2 문턱 전압을 갖고, 제2 N-MOS 트랜지스터는 제3 문턱 전압을 갖고, 그리고 제1 N-MOS 트랜지스터 및 제3 N-MOS 트랜지스터 각각은 제3 문턱 전압보다 높은 제4 문턱 전압을 갖는다.

가교제를 이용한 페로브스카이트 계면층이 도입된 적층체, 태양전지 및 그의 제조방법

LAMINATE COMPRISING PEROVSKITE INTERFACE LAYER USING CROSS-LINKING AGENT, SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• 출원번호

  10-2025-0065537

• 출원일

  2025-05-20

• 등록번호

  10-2934739

• 등록일

  2026-02-27

본 발명은 가교제를 이용한 페로브스카이트 계면층이 도입된 적층체, 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 페로브스카이트의 결함 제어에 효과적인 균일한 계면층을 형성할 수 있고, 상기 계면층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지는 효율 및 안정성이 향상된다.

로봇암을 이용한 튀김 장치, 로봇암과 적층된 복수의 튀김 장치를 이용한 튀김 조리 시스템 및 방법

Apparatus for frying using a robot arm, system and method for frying, using a robot arm and multiple frying devices stacked on top of each other

• 출원번호

  10-2025-0044679

• 출원일

  2025-04-07

• 공개번호

  10-2025-0149601

• 공개일

  2025-10-16

일 실시예는, 튀김 바구니를 파지하는 그립퍼가 연결되고 적어도 하나의 관절을 포함하며 상기 그립퍼를 3차원 공간 이동시키도록 동작하는 로봇암, 식자재를 담은 상기 튀김 바구니가 거치되며 상기 튀김 바구니의 무게를 측정할 수 있는 무게 센서를 포함하는 준비 거치대, 복수의 튀김 장치가 상하부로 이격되어 배치된 구조를 포함하는 튀김 장치 모듈, 상기 튀김 바구니가 거치되며 하부에 튀김유가 투과할 수 있는 투과망이 마련된 복수의 바구니 거치대가 상하부로 이격되어 배치된 구조를 포함하는 바구니 거치 모듈, 및 상기 로봇암이 상기 준비 거치대에 마련된 튀김 바구니를 상기 튀김 장치 모듈과 상기 바구니 거치 모듈로 순차적으로 이동시켜 상기 식자재에 대한 튀김 작업이 수행되도록 제어하는 컨트롤러를 포함하는, 로봇암을 이용한 튀김 장치를 제공한다. (본 특허는 경상북도 도청 및 포항시청의 푸드테크 연구 기술 개발 사업(GBTP2023129001)의 지원을 받아 개발되었음)

합성 개구 레이다 운용 드론 시스템 및 그 작동 방법

DRONE SYSTEM FOR SYNTHETIC APERTURE RADER OPERATION AND OPERATING METHOD THEREOF

• 출원번호

  10-2024-0137807

• 출원일

  2024-10-10

• 공개번호

  10-2025-0076373

• 공개일

  2025-05-29

본 발명은 오픈소스 하드웨어를 활용한 SAR 운용 드론 시스템 및 그 작동 방법에 관한 것이다. 드론 시스템은, 기체의 하위단을 제어하는 비행 제어기 모듈, 기체의 군집제어를 위한 통신을 수행하고 비행 제어기 모듈로부터 비행 정보를 받고 비행 제어기 모듈로 명령을 전달하는 하이레벨 제어 모듈, 비행 제어기 모듈과 하이레벨 제어 모듈을 연결하는 링크 모듈, 및 하이레벨 제어 모듈로부터의 비행 로그 및 레이다 모듈로부터의 레이다 데이터를 저장하는 데이터수집 보드를 포함한다.

핵산 치료제에 사용되는 기능성 지질 라이브러리를 합성하기 위한 단일 연속 유동 합성 방법

One-flow synthetic method for synthesizing functional lipid libraries for use in nucleic acid therapeutics

• 출원번호

  10-2024-0074483

• 출원일

  2024-06-07

• 공개번호

  10-2024-0174509

• 공개일

  2024-12-17

본 발명은 핵산 치료제에 사용되는 기능성 지질 라이브러리를 합성하기 위한 단일 연속 유동 합성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 1,2-디올레오일-3-디메틸암모늄-프로판과 같은 이온화 가능한 양이온성 지질을 포함하는 이온화 가능한 양이온성 지질 라이브러리 및 1,2-디올레오일-3-트리메틸암모늄-프로판과 같은 양이온성 지질을 포함하는 양이온성 지질 라이브러리의 단일 연속 유동 합성 방법 및 상기 방법을 이용한 지질 나노입자 또는 지질 나노 리포좀의 제조방법을 제공한다.

수축력 측정 센서 및 그 제조 방법

STRAIN GAUGE SENSOR AND MEHTOD FOR MANUFACTURING THEREOF

• 출원번호

  10-2021-0143053

• 출원일

  2021-10-25

• 공개번호

  10-2022-0055433

• 공개일

  2022-05-03

• 등록번호

  10-2660112

• 등록일

  2024-04-18

본 발명의 일 실시예에 따른 프레임, 프레임으로부터 돌출한 동작부를 가지는 기판, 동작부에 위치하는 신호선, 신호선의 일단에 형성되며 프레임에 위치하는 전극 패드를 포함하는 압저항 센서, 압저항 센서를 사이에 두고, 프레임에 위치하는 제1 기둥, 동작부에 위치하는 제2 기둥을 포함하는 기둥을 포함한다.

3단자 시냅스 소자

THREE-TERMINAL SYNAPTIC DEVICE

• 출원번호

  10-2021-0165818

• 출원일

  2021-11-26

• 공개번호

  10-2023-0078238

• 공개일

  2023-06-02

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 기판, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 채널층, 활성 이온이 저장되는 이온 저장층, 상기 이온 저장층 상에 형성되는 게이트 전극 및 상기 이온 저장층과 상기 채널층 간에 배치되어 상기 이온 저장층과 상기 채널층 간의 활성 이온의 이동을 제어하는 이온 장벽층을 포함하는 3단자 시냅스 소자로서, 본 발명에 의하면, 이온의 급격한 이동을 억제하되, 시냅스 소자로서의 특성이 개선될 수 있는 3단자 시냅스 소자를 제공한다.

LSK 디모듈레이터 및 무선전력송신/센서정보처리장치

LSK demodulator and wireless power transmission/sensor information processing device

• 출원번호

  10-2024-0145987

• 출원일

  2024-10-23

• 등록번호

  10-2933522

• 등록일

  2026-02-26

본 발명은 적분기와 비교기를 포함하는 2개의 신호처리수단을 위상차이를 두어 동작시킴으로써 수신한 신호의 정확한 복구 및 잡음의 제거와 함께 클럭과의 동기화를 실현할 수 있도록 하는 LSK 디모듈레이터 및 상기 LSK 디모듈레이터를 포함하는 무선전력송신/센서정보처리장치를 제안한다. 상기 LSK 디모듈레이터는, 적분기반 수신기, 직교위상 클럭생성기, 유한상태머신, 위상 인터폴레이터, 듀티싸이클 수정기 및 제어회로를 포함한다.

강유전체 트랜지스터

Ferroelectric transistor

• 출원번호

  10-2024-0067579

• 출원일

  2024-05-24

• 등록번호

  10-2874320

• 등록일

  2025-10-16

본 발명의 일 관점에 의한 강유전체 트랜지스터는 기판과, 상기 기판 상의 제어 게이트 전극층과, 상기 제어 게이트 전극층 상의 제 1 강유전체층과, 상기 제 1 강유전체층 상의 내부 전극층과, 상기 내부 전극층 상의 제 2 강유전체층과, 상기 제 2 강유전체층 상의 반도체 채널층을 포함하고, 상기 제어 게이트 전극층, 상기 제 1 강유전체층 및 상기 내부 전극층의 제 1 적층 구조의 제 1 커패시턴스에 대한 상기 내부 전극층, 상기 제 2 강유전체층 및 상기 반도체 채널층의 제 2 적층 구조의의 제 2 커패시턴스의 비는 5 이상이다.