포스텍 공개특허
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- NT 초정밀원자세계기술
- 세라믹 및 결정 성장
헤테로 구조 산화물 복합막 및 그 제조 방법
Heterostructured Oxide Composite Layer and Manufacturing Method Thereof
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출원번호
10-2023-0105746 -
출원일
2023-08-11 -
공개번호
10-2024-0059532 -
공개일
2024-05-07 -
등록번호
10-2959276 -
등록일
2026-04-27
본 발명은 산소 이온의 이동을 제어할 수 있는 이산화티탄막을 포함하는 헤테로 구조의 산화물 복합막을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 헤테로 구조의 산화물 복합막은 산화물 중간막 및 상기 산화물 중간막 위에 형성되고 도너 원소가 도핑된 이산화티탄막을 포함할 수 있다.
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- IT 정보통신기술
- 전자회로 및 제어시스템
반사 계수 검출을 위한 방법 및 장치
METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING REFLECTION COEFFIECTIENT
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출원번호
10-2021-0008348 -
출원일
2021-01-20 -
공개번호
10-2022-0105531 -
공개일
2022-07-27 -
등록번호
10-2898597 -
등록일
2025-12-05
본 개시(disclosure)는 LTE(Long Term Evolution)와 같은 4G(4th generation) 통신 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G(5th generation) 또는 pre-5G 통신 시스템에 관련된 것이다. 본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 무선 통신 시스템에서 전자 장치의 반사 계수(reflection coefficient)를 검출(detecting)하는 회로는, 적어도 하나의 프로세서(processor), 복수의 ADC(analog to digital converter)들, 복수의 RF 소자들 및 제1 전송 선로, 제2 전송 선로 및 제3 전송 선로를 포함하는 복수의 전송 선로들을 포함하고, 상기 복수의 ADC들, 상기 복수의 RF 소자들 및 상기 복수의 전송 선로들은 각각 대응하여 서로 연결되고, 상기 복수의 ADC들은 상기 적어도 하나의 프로세서에 연결되고, 상기 제1 전송 선로는 상기 전자 장치의 전송 선로와 일정 거리 이격되어 배치되어 상기 전송 선로의 제1 지점에서 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전송 선로는 상기 전송 선로와 일정 거리 이격되어 배치되어 상기 전송 선로의 제2 지점에서 전기적으로 연결되고, 상기 제3 전송 선로는 상기 전송 선로와 일정 거리 이격되어 배치되어 상기 전송 선로의 제3 지점에서 전기적으로 연결되고, 상기 제1 지점은 상기 제2 지점으로부터 제1 길이만큼 이격되고, 상기 제3 지점은 상기 제2 지점으로부터 제2 길이만큼 이격될 수 있다.
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- BT 생명공학기술
- 바이오공정 및 발효공학
이타콘산 영양요구 시스템을 이용한 이타콘산 고생산 균주의 스크리닝 방법 및 이의 용도
SCREENING METHOD FOR HIGH ITACONIC ACID PRODUCING STRAINS USING AN ITACONIC ACID AUXOTROPHIC SYSTEM AND USES THEREOF
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출원번호
10-2024-0198248 -
출원일
2024-12-27 -
공개번호
10-2025-0106225 -
공개일
2025-07-09
본 발명은 이타콘산 영양요구 시스템을 이용한 이타콘산 고생산 균주의 스크리닝 방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이타콘산 고생산 균주의 스크리닝 방법 및 이를 통하여 선별된 이타콘산 고생산 균주는 야생형 균주와 비교하여 이타콘산 생산성이 향상되어 효소 공학 및 이타콘산이 활용되는 합성수지, 라텍스 및 식품첨가물 등의 산업 분야에서 다양하게 활용될 수 있다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 정밀 광학 및 물리 분석
헤민 또는 이의 유도체를 포함하는 히스타민 검출용 조성물, 이를 포함하는 키트 및 이를 사용한 히스타민 검출 방법
COMPOSITION FOR DETECTING HISTAMINE COMPRISING HEMIN OR DERIVATIVES THEREOF, KIT CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR DETECTING HISTAMINE USING THE SAME
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출원번호
10-2023-0013653 -
출원일
2023-02-01 -
공개번호
10-2024-0018346 -
공개일
2024-02-13 -
등록번호
10-2778398 -
등록일
2025-03-04
본 발명은 헤민(hemin) 또는 이의 유도체(derivates); 및 과산화수소(H2O2);를 포함하는 것을 그 특징으로 함으로써, 히스타민만을 선택적으로 신속하게 검출할 수 있는 이점이 있는 히스타민 검출용 조성물에 관한 것이다.
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- IT 정보통신기술
- 유무선 및 이동통신
트랜시버의 전기적인 특성을 제어하는 장치 및 방법
APPARATUS AND MEHTHOD FOR CONTROLLING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF TRANSCEIVER
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출원번호
10-2023-0032706 -
출원일
2023-03-13 -
공개번호
10-2024-0116330 -
공개일
2024-07-29
본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치는 RF(radio frequency) 신호의 송신 및 수신을 위한 제1 RF 칩(chip), RF 신호의 송신 및 수신을 위한 제2 RF 칩, 적어도 하나의 스위치 회로를 포함하고 상기 제1 RF 칩 및 상기 제2 RF 칩을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 선로 및 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 프로세서는 상기 적어도 하나의 연결 선로를 통해 상기 제1 트랜시버 및 상기 제4 트랜시버가 전기적으로 연결되고 상기 제2 트랜시버 및 상기 제3 트랜시버가 전기적으로 연결되도록(such that) 상기 적어도 하나의 스위치 회로를 제어하도록 설정될 수 있다. 적어도 하나의 프로세서는 상기 제4 트랜시버에서 출력되어 상기 제1 트랜시버를 통해 수신된 상기 제2 편파의 제1 RF 신호, 및 상기 제2 트랜시버에서 출력되어 상기 제3 트랜시버를 통해 수신된 상기 제2 편파의 제2 RF 신호에 기반하여 상기 제2 트랜시버에 포함된 제1 PA(power amplifier) 또는 제1 위상 천이기 중 하나를 제어하도록 설정될 수 있다.
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- ET 환경공학기술
- 기능성 및 친환경 소재
고내열성을 갖는 열 변색 코팅 조성물, 이를 이용한 가전기기
THERMOCHROMIC COATING COMPOSITION HAVING HIGH HEAT RESISTANCE, AND HOME APPLIANCES USING THE SAME
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출원번호
10-2022-0031288 -
출원일
2022-03-14 -
공개번호
10-2023-0134233 -
공개일
2023-09-21
본 발명은 고내열성을 가지며 다양한 색상을 구현할 수 있는 신규의 열 변색 코팅 조성물에 대한 발명으로서, 본 발명의 열 변색 코팅 조성물은 열 변색 산화물, 바인더 수지, 용제 및 글라스 프릿을 포함한다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
난수 생성기 및 난수 추출 방법
Random number generator and random number generating method
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출원번호
10-2024-0142078 -
출원일
2024-10-17 -
공개번호
10-2026-0055768 -
공개일
2026-04-24
본 발명은 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 드레인(drain) 측 전극 상에 증착된 OTS(Ovonic Threshold Switch) 소자를 포함하고, 문턱전압 이상의 인가전압이 상기 OTS 소자에 가해지면, 상기 OTS 소자가 고저항 상태에서 저저항 상태로 스위칭됨으로써, 임의의 디지털 난수를 생성하는 것을 특징으로 하는 난수 생성기로서, 본 발명에 의하면, 기생 커패시턴스를 최소화하여 동작속도를 높이고, 최적의 펄스를 도입하여 임의의 난수를 추출하는 방법을 통해 드리프트와 같은 외부요인에 방해받지 않고 임의의 디지털 난수를 추출할 수 있다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 정밀 광학 및 물리 분석
다중배율 빛 시트 광학 조직검사 시스템 및 이의 운용방법
Multi-scale light sheet optical tissue scanner and its operating method
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출원번호
10-2024-0068634 -
출원일
2024-05-27 -
공개번호
10-2025-0169799 -
공개일
2025-12-04
본 발명은 저배율로 샘플의 비교적 넓은 영역을 빠르게 스캐닝하고, 고배율로 사용자가 확인하고자 하는 샘플의 영역을 핵 단위의 고해상도로 스캐닝하여 이미지를 획득하는 과정을 순차적으로 수행할 수 있는 다중배율 빛 시트 광학 조직검사 시스템 및 이의 운용방법에 관한 것이다. 이를 위하여, 본 발명은 다중배율 빛 시트 광학 조직검사 시스템에 있어서, 측정 대상인 샘플이 거치되는 샘플거치모듈과, 상기 샘플을 촬영하는 샘플촬영모듈과, 상기 샘플촬영모듈에서 촬영된 상기 샘플의 샘플영상을 처리하는 영상 처리부를 포함하되, 상기 샘플촬영모듈은 상기 샘플에 광을 조사하는 광원부와, 상기 광에 의해 상기 샘플에서 전달되는 신호를 배율신호로 변환하는 대물렌즈 모듈과, 상기 샘플의 신호를 통해 상기 샘플영상을 획득하는 샘플영상 획득부를 포함하고, 상기 대물렌즈 모듈은 적어도 두개 이상의 대물렌즈를 포함하여, 서로 다른 배율로 상기 샘플로부터 상기 배율신호를 획득하며, 상기 샘플영상 획득부는 상기 샘플에 대하여 서로 다른 배율에 따른 상기 샘플영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 다중배율 빛 시트 광학 조직검사 시스템을 제공한다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
반도체 장치 및 이의 제조 방법
Semiconductor device and method for manufacturing the same
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출원번호
10-2024-0143791 -
출원일
2024-10-21 -
등록번호
10-2833762 -
등록일
2025-07-09
본 발명은 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 개시한다. 상기 반도체 장치는, 기판, 상기 기판 상의 제1 액티브 패턴, 상기 제1 액티브 패턴의 적어도 일부를 감싸는 제1 게이트 구조체, 상기 제1 게이트 구조체의 서로 마주보는 제1 측과 제2 측에 각각 배치되는 제1 소오스/드레인 영역 및 제2 소오스/드레인 영역 및 상기 제1 게이트 구조체의 상기 제1 측 및 상기 제2 측 각각과 상이한 제3 측에 배치되는 제1 유전체 패턴을 포함하고, 상기 제1 유전체 패턴은, 상기 제1 소오스/드레인 영역과 상기 제1 게이트 구조체의 상기 제1 측 사이에 배치되는 상기 제1 유전체 패턴의 제1 부분 및 상기 제2 소오스/드레인 영역과 상기 제1 게이트 구조체의 상기 제2 측 사이에 배치되는 상기 제1 유전체 패턴의 제2 부분을 포함한다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
나노 튜브 어레이를 포함하는 열전 장치 및 이의 제조 방법
Thermoelectric device comprising nanotube array and method of manufacturing thereof
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출원번호
10-2024-0088226 -
출원일
2024-07-04 -
등록번호
10-2778353 -
등록일
2025-03-04
본 발명은 나노 튜브 어레이를 포함하는 열전 장치 및 이의 제조 방법을 개시한다. 상기 나노 튜브 어레이를 포함하는 열전 장치는, 기판, 상기 기판에서, 서로 이격되어 배치되는 제1 n형 도핑 영역, 제2 n형 도핑 영역, 제1 p형 도핑 영역 및 제2 p형 도핑 영역을 포함하는 도핑 영역, 상기 제1 n형 도핑 영역, 상기 제2 n형 도핑 영역, 상기 제1 p형 도핑 영역 및 상기 제2 p형 도핑 영역 각각 상에 배치되고, 내부에 홀을 포함하는 제1 n형 나노 튜브 어레이, 제2 n형 나노 튜브 어레이, 제1 p형 나노 튜브 어레이 및 제2 p형 나노 튜브 어레이를 포함하는 나노 튜브 어레이, 상기 제1 n형 나노 튜브 어레이의 상부 및 상기 제1 p형 나노 튜브 어레이의 상부를 전기적으로 연결하는 제1 상부 전극, 상기 제2 n형 나노 튜브 어레이의 상부 및 상기 제2 p형 나노 튜브 어레이의 상부를 전기적으로 연결하는 제2 상부 전극 및 상기 기판의 하부와 상기 기판의 상부에 배치되는 열 방출부를 포함하고, 상기 나노 튜브 어레이 각각의 벽 두께는, 30nm 이상 999nm 이하이다.