반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템

Semiconductor device and electronic system including the same

• 출원번호

  10-2023-0191851

• 출원일

  2023-12-26

• 공개번호

  10-2025-0050670

• 공개일

  2025-04-15

본 발명의 기술적 사상은 기판; 상기 기판 상에 배치되는 소스/드레인 영역; 상기 소스/드레인 영역 사이에 배치되며 인듐-갈륨 아연 산화물(IGZO)을 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되며, 화학양론비를 만족하는 금속 산화물을 포함하는 가변 저항층; 상기 가변 저항층 상에 배치되며, 화학양론비를 만족시키지 않은 금속 산화물을 포함하는 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극; 을 포함하는 반도체 장치를 제공한다.

물리적 인과관계에 따른 딥러닝 기반의 냉각 시스템 온도 예측 장치 및 그 방법

Deep learning based cooling system temperature prediction apparatus according to physical causality and method therefor

• 출원번호

  10-2019-0087170

• 출원일

  2019-07-18

• 공개번호

  10-2021-0010735

• 공개일

  2021-01-28

• 등록번호

  10-2719111

• 등록일

  2024-10-14

인공 신경망 모델의 입력 / 출력간의 물리적인 관계를 반영하여 배터리 온도 및 모터 온도 예측을 정교할 수 있는 물리적 인과관계에 따른 딥러닝 기반의 냉각 시스템 온도 예측 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 냉각 시스템 온도 변화량에 대한 공식을 물리적으로 분석하여 다수의 복잡한 시스템 학습에 있어 입력과 출력을 단순히 1개의 인공신경망으로 예측하는 것이 아니라 주요 구성부품별 다수의 인공신경망을 통해 예측하므로 인공신경망의 예측 과정을 알 수 있으며, 이에 따라 인공신경망의 예측 과정을 추적할 수 있어 인과 관계 분석이 용이하다는 장점이 존재한다

강화학습을 통한 잉크젯 프린팅 액적 토출 최적 및 적응형 제어 장치 및 방법

OPTIMAL AND ADAPTIVE CONTROL APPARATUS OF JETTING BEHAVIOR IN INKJET PRINTING BY USING REINFORCEMENT LEARNING AND METHOD THEREOF

• 출원번호

  10-2021-0123696

• 출원일

  2021-09-16

• 공개번호

  10-2023-0040493

• 공개일

  2023-03-23

• 등록번호

  10-2621545

• 등록일

  2024-01-02

본 명세서는 강화학습을 이용하여 잉크젯 프린팅에서 이상적인 액적 토출을 만들도록 구동 파형을 최적 제어하고 액적 토출의 변화에 따라 구동 파형을 조절해 이상적인 액적 토출을 유지하도록 적응형 제어를 하는 장치 및 방법을 개시한다. 액적 토출 모니터링 시스템을 통해 액적 토출을 관찰하고 액적 토출 상태에 따라 긍정적 보상과 부정적 보상을 주는 학습을 반복하여 최대한 긍정적인 보상을 받도록 스스로 학습하는 강화학습 기술을 토대로 액적 토출 최적 제어 및 적응형 제어가 가능하다.

연신성 이온젤 센서 및 그의 제조방법

STRETCHABLE IONGEL SENSOR AND PREPARING METHOD OF THE SAME

• 출원번호

  10-2023-0138189

• 출원일

  2023-10-17

• 공개번호

  10-2025-0054943

• 공개일

  2025-04-24

• 등록번호

  10-2915717

• 등록일

  2026-01-16

본 발명은 연신성 이온젤 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 연신성 이온젤 센서는, 이온젤층; 상기 이온젤층 상면에 배치되는 상부 전극층; 및 상기 이온젤층 하면에 배치되는 하부 전극층;을 포함하고, 상기 상부 전극층 및 하부 전극층은, 각각, 제1 금속 입자/고분자층 및 제2 금속 입자/고분자층을 포함하는 것이다.

전해질 영향이 제거된 전극/전해질 계면 임피던스의 정밀 추출을 위한 다간격 임피던스 측정방법 및 측정 시스템

METHOD OF MEASURING MULTI-INTERVAL IMPEDANCE FOR PRECISE EXTRACTION OF ELECTRODE/ELECTROLYTE INTERFACE IMPEDANCE WITH ELECTROLYTE INFLUENCE REMOVED AND MEASURING SYSTEM USING SAME

• 출원번호

  10-2023-0074697

• 출원일

  2023-06-12

• 공개번호

  10-2024-0175067

• 공개일

  2024-12-19

• 등록번호

  10-2850746

• 등록일

  2025-08-21

전해질 영향이 제거된 전극/전해질 계면 임피던스의 정밀 추출을 위한 다간격 임피던스 측정방법 및 측정 시스템이 개시된다. 본 발명은 (a) 전해질과 접촉하는 제1 전극과 상기 전해질과 접촉하는 제2 전극 사이의 전체 임피던스 값(Z전체)를 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격(d)를 변화시켜 가며 복수회 측정하는 단계; 및 (b) 상기 제1 전극과 제2 전극 사이의 간격(d) 및 복수개의 상기 전체 임피던스 값(Z전체)으로부터 상기 전극과 상기 전해질의 계면 임피던스 값(Z계면)을 계산하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 전해질 영향이 제거된 전극/전해질 계면 임피던스의 정밀 추출을 위한 다간격 임피던스 측정방법 및 측정 시스템은 전해질과 전극/전해질 계면의 임피던스를 측정하여 유일한 값을 얻음으로써 데이터의 신뢰도를 향상할 수 있다.

자동 발음 평가 방법 및 장치

METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATIC PPRONUNCIATION ASSESSMENT

• 출원번호

  10-2023-0132781

• 출원일

  2023-10-05

• 공개번호

  10-2025-0049839

• 공개일

  2025-04-14

본 발명의 일 실시예에 따른 언어 학습자의 발음 평가 방법은, 입력받은 상기 언어 학습자의 음성에 의해 생성된 벡터를 입력받은 음소 계층이 음소 계층 벡터를 생성하여 음소 계층 평가결과를 출력하는 단계, 상기 음소 계층 벡터를 입력받은 단어 계층이 적어도 하나 이상의 제1 측면 어텐션(Aspect Attention)을 통해 단어 계층 벡터를 생성하여 단어 계층 평가결과를 출력하는 단계, 및 상기 단어 계층 벡터를 입력받은 발화 계층이 적어도 하나 이상의 제2 측면 어텐션을 통해 발화 계층 평가결과를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.

메타 광학 소자 및 이를 포함하는 전자 장치

Meta optical device and electronic device including the same

• 출원번호

  10-2023-0055011

• 출원일

  2023-04-26

• 공개번호

  10-2024-0045982

• 공개일

  2024-04-08

• 등록번호

  10-2719038

• 등록일

  2024-10-14

개시된 메타 광학 소자는 소정 파장의 입사광을 변조하여 구조광을 형성하는 것으로, 각각, 상기 소정 파장보다 작은 형상 치수를 가지는 복수의 나노구조물을 포함하는 복수의 수퍼셀;을 포함하며, 상기 복수의 나노구조물의 형상과 배열은 가로 및 세로 방향의 시야각이 160도 이상인 점 패턴의 구조광을 형성하도록 정해질 수 있다.

화합물, 이를 포함하는 수지 조성물, 이를 포함하는 수지 및 이를 포함하는 광학 장치

COMPOUND, RESIN COMPOSITION COMPRISINGG SAME, RESIN COMPRISINGG SAME AND OPTICAL DEVICE COMPRISINGG SAME

• 출원번호

  10-2022-0074270

• 출원일

  2022-06-17

• 공개번호

  10-2023-0173468

• 공개일

  2023-12-27

본 발명은 화합물, 이를 포함하는 수지 조성물, 이를 포함하는 수지 및 이를 포함하는 광학 장치에 관한 것이다.

연신성 복합 전극 및 그의 제조방법

STRETCHABLE COMPOSITE ELECTRODE AND PREPARING METHOD OF THE SAME

• 출원번호

  10-2023-0180544

• 출원일

  2023-12-13

• 공개번호

  10-2025-0091360

• 공개일

  2025-06-23

• 등록번호

  10-2915712

• 등록일

  2026-01-16

본 발명은 연신성 복합 전극 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 연신성 복합 전극은, 이온젤층; 상기 이온젤층 상면에 배치되는 상부 전극층; 및 상기 이온젤층 하면에 배치되는 하부 전극층;을 포함하고, 상기 상부 전극층 및 하부 전극층은, 각각, 이중층 및 크랙된 금속층을 포함한다.

칼코겐 박막의 형성방법, 이를 이용하여 형성된 칼코겐 박막 및 이를 이용하여 형성된 트랜지스터

Method of forming Chalcogen Thin Film, Chalcogen Thin Film formed using the same and Transistor of being formed using the same

• 출원번호

  10-2024-0067340

• 출원일

  2024-05-23

• 등록번호

  10-2850392

• 등록일

  2025-08-21

나노 사이즈의 두께를 가지는 일원계 칼코겐 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 칼코겐 박막 및 이를 이용하여 형성된 p형 트랜지스터가 제공된다. 시드층으로 이원계 칼코겐화물이 사용되므로, 텔루륨 또는 셀레늄은 시드층 상부에만 선택적으로 형성될 수 있다. 따라서, 일원계 칼코겐의 형성을 위한 원자층 증착에서 컨포멀한 형성의 어려움은 해소될 수 있다. 이후에 열처리를 통해 시드층과 칼코겐층은 이원계 칼코겐층으로 개질된다. 또한, Al 전구체 또는 Ti 전구체가 공급되면, 이원계 칼코겐층의 산소 원자 또는 황 원자는 반응하여 칼코겐 반응층을 형성한다.