X선 산란 측정 장치

X-RAY SCATTERING MEASUING APPARATUS

• 출원번호

  10-2020-0117864

• 출원일

  2020-09-14

• 공개번호

  10-2022-0035744

• 공개일

  2022-03-22

• 등록번호

  10-2397429

• 등록일

  2022-05-09

본 발명의 일 실시예에 따른 X선 산란 측정 장치는 시료가 위치하며 X선이 시료에 입사하여 광전자를 발생시키는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 위에 위치하며 상기 광전자의 에너지를 분석하는 광전자 에너지 분석기; 상기 진공 챔버와 상기 광전자 에너지 분석기 사이에 위치하며 상기 광전자 에너지 분석기를 회전시키는 회전기; 그리고 상기 진공 챔버 아래에 위치하며 상기 시료의 위치를 조절하여 상기 X선의 운동량을 변화시키는 시료 위치 조절기를 포함한다.

불소화 나프탈렌 다이이미드 유도체를 포함하는 조성물, 그를 포함하는 유기 태양전지 및 그의 제조방법

COMPOSITION COMPRISING FLUORINATED NAPHTHALENE DIIMIDE DERIVATIVE COMPOUND, ORGANIC SOLAR CELL COMPRISING SAME AND METHOD OF PREPARING SAME

• 출원번호

  10-2019-0096741

• 출원일

  2019-08-08

• 공개번호

  10-2021-0017454

• 공개일

  2021-02-17

• 등록번호

  10-2218763

• 등록일

  2021-02-16

불소화 나프탈렌 다이이미드 유도체를 포함하는 조성물, 그를 포함하는 유기 태양전지 및 그의 제조방법이 개시된다. 상기 조성물은 전자주개(electron donor)인 파이공액 고분자(π-conjugated polymer); 전자받개(electron acceptor)인 파이공액 단분자(π-conjugated monomer); 및 불소화 나프탈렌 다이이미드 유도체;를 포함함으로써 상 분리 없이 균일한 모폴로지(morphology)를 가질 수 있다. 상기 유기 태양전지는 상기 조성물을 광활성층으로 포함함으로써 장시간의 외부 노출에도 효율 안정성이 뛰어나다.

인공신경망 프로세서용 활성화 소자

Activation Device for Neuromorphic Network Processor

• 출원번호

  10-2017-0155424

• 출원일

  2017-11-21

• 공개번호

  10-2019-0057932

• 공개일

  2019-05-29

• 등록번호

  10-2072090

• 등록일

  2020-01-23

입력 단자, 일단이 상기 입력 단자와 전기적으로 연결되고, 선택 트랜지스터 및 상기 선택 트랜지스터의 소오스 전극 또는 드레인 전극에 직렬로 연결되는 문턱 스위치를 포함하는 복수 개의 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들과 전기적으로 연결되어 상기 게이트 라인들로부터 게이트 전압을 인가받는 급경사 트랜지스터 및 상기 급경사 트랜지스터의 소오스-드레인 전류를 출력하는 출력 단자를 포함하고, 상기 문턱 스위치는 각 게이트 라인마다 서로 다른 문턱값을 갖는 문턱 스위치인 활성화 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 활성화 소자는 소형화, 집적화에 유리한 구조를 가지며, 입력된 신호의 크기를 반영한 출력 신호를 발화할 수 있다.

전력 전달 효율이 향상된 마이크로파 플라즈마 발생기

Microwave Plasma Generator with Enhanced Power Transmission Efficiency

• 출원번호

  10-2017-0124865

• 출원일

  2017-09-27

• 등록번호

  10-1930726

• 등록일

  2018-12-13

본 발명은 마이크로파 플라즈마 발생기의 동축케이블의 일단부에서 발생되는 플라즈마에 의한 임피던스 부정합을, 동축케이블의 반대편 일단부에서 외부도체와 내부도체를 전기적으로 연결하는 연결도체의 구조를 변형하여 보상함으로써 마이크로파 전력 공급 장치에서 마이크로파 플라즈마 발생기로 전달되는 전력의 효율을 극대화할 수 있는 전력 전달 효율이 향상된 마이크로파 플라즈마 발생기에 관한 것이다.

저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법

ReRAM and manufacture method thereof

• 출원번호

  10-2015-0150038

• 출원일

  2015-10-28

• 공개번호

  10-2017-0049097

• 공개일

  2017-05-10

• 등록번호

  10-1781002

• 등록일

  2017-09-18

저항 변화 메모리 소자의 내구성과 유지성의 특성을 동시에 개선하는 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 마련된 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 마련된 스위칭층, 상기 스위칭층 상에 마련된 반응성 상부 전극을 포함하고, 상기 스위칭층은 상기 스위칭층에 형성되는 산소 공공의 양이 최대로 되도록 고압 수소 열처리된 구성을 마련하여, 충분한 양의 산소 공공을 상부 반응성 전극의 공정조건과 무관하게 형성할 수 있고, 이로 인해 상부 반응성 전극에 잔존하는 산소문제도 해결할 수 있다.

미세 유체칩으로 유입되는 시료의 기포 및 맥동성 제거를 위한 유동제어 장치, 이를 이용한 유동제어 방법, 및 이를 포함하는 유동제어 시스템

FLOW CONTROL DEVICE FOR REMOVAL OF BUBBLES AND PULSATILITY OF SAMPLE FLOW INTO MICROFLUDIC CHIPS, FLOW CONTROL METHOD, AND FLOW CONTROL MICROFLUDIC SYSTEM

• 출원번호

  10-2014-0089205

• 출원일

  2014-07-15

• 등록번호

  10-1559161

• 등록일

  2015-10-02

본 발명의 일 측면에 따른 유동제어 장치는 내부 공간을 갖는 챔버와, 유체 펌프와 연결되며 상기 챔버 내부로 삽입되어 액적을 토출하는 유입관과, 상기 유입관 보다 하부에서 상기 챔버와 연결되어 상기 챔버 내부에 저장된 시료를 외부로 배출시키는 배출관과, 상기 챔버 내부의 기체를 외부로 배출하는 압력 조절관, 및 상기 압력 조절관에 설치되어 상기 압력 조절관의 개폐를 제어하는 조절 밸브를 포함한다.

가역적 변환이 가능한 초소수성 표면의 형성 방법

Method of preparing superhydrophobic surface capable of reversible switching

• 출원번호

  10-2010-0005458

• 출원일

  2010-01-21

• 공개번호

  10-2011-0085591

• 공개일

  2011-07-27

• 등록번호

  10-1175633

• 등록일

  2012-08-14

본 발명은 가역적 변환이 가능한 초소수성 표면의 형성 방법 및 초소수성 표면의 가역적 변환을 통해 표면 상에 초소수성과 초친수성의 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 표면에 나노 구조를 갖는 물체에 알킬트리클로로실란을 처리함으로써 손쉽게 초소수성 표면을 형성할 수 있다. 또한, 이러한 표면에 UV를 조사함으로써 다시 초친수성으로 변환시킬 수 있게 되므로 초소수성과 초친수성이 혼재된 패터닝을 형성할 수 있게 된다.

부스트 컨버터 및 그를 이용한 디스플레이 장치

BOOST CONVERTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

• 출원번호

  10-2017-0156955

• 출원일

  2017-11-23

• 공개번호

  10-2019-0059392

• 공개일

  2019-05-31

• 등록번호

  10-2396468

• 등록일

  2022-05-04

본 발명은 소프트 스위칭에 의해 스위칭 손실을 감소시킴으로써 스위칭 효율을 향상시키고 스위치의 발열을 감소시킬 수 있는 부스트 컨버터 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 부스트 컨버터는 입력 전원의 제1 입력 단자와 제1 노드 사이에 접속된 부스트 인덕터와, 제1 노드와 입력 전원의 그라운드 사이에 접속되고, 펄스폭 변조 신호(PWM)에 의해 제어되는 스위치와, 제1 노드 및 그라운드와 제2 노드 사이에 접속된 패시브 스너버와, 제2 노드와 제1 출력 단자 사이에 접속된 출력 다이오드와, 제1 출력 단자와 그라운드 사이에 접속된 출력 커패시터를 포함한다. 일 실시예에 따른 패시브 스너버는 제1 및 제2 노드 사이에 접속된 제1 커패시터와, 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속된 제1 인덕터와, 제3 노드와 그라운드 사이에 접속된 제2 커패시터와, 제1 노드와 제3 노드 사이에 접속된 제1 다이오드를 포함한다.

지지체의 환원성을 제어하여 촉매활성이 향상된 세리아 기반 복합촉매 및 그의 제조방법

CERIA BASED COMPOSITE CATALYST WITH IMPROVED CATALYST ACTIVITY BY CONTROLLING SUPPORT REDUCIBILITY AND METHOD OF PREPARING SAME

• 출원번호

  10-2019-0098256

• 출원일

  2019-08-12

• 등록번호

  10-2218762

• 등록일

  2021-02-16

지지체의 환원성을 제어하여 촉매활성이 향상된 세리아 기반 복합촉매 및 그의 제조방법이 개시된다. 상기 세리아 기반 복합촉매는 전이금속 도핑 세리아를 포함하는 지지체; 및 상기 지지체에 담지되고, 금속 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 촉매;를 포함함으로써 환원성 및 활성이 우수하다.

스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리

Resistance Random Access Memory with Selector Device

• 출원번호

  10-2018-0047955

• 출원일

  2018-04-25

• 공개번호

  10-2019-0123976

• 공개일

  2019-11-04

• 등록번호

  10-2072091

• 등록일

  2020-01-23

본 발명은 안정적인 리드 마진을 확보 할 수 있는 스위치 역할을 하는 선택소자가 포함된 저항변화 메모리를 제공한다. 이는 절연체-금속 전이(IMT) 특성을 갖는 절연체-금속 변화층으로 구성된 선택소자와 저항 변화 메모리 소자를 1S-1R 구조로 형성하고, 턴온이 되는 임계전압이 펄스폭에 따라 일정한 수치를 갖는 선택소자의 특징과 펄스폭이 감소할수록 동작전압이 증가하는 저항 변화 메모리 소자의 특징을 이용함으로써 낮은 리드 펄스폭 조건에서 안정적인 리드마진을 확보할 수 있기 때문에 1S-1R 단위 소자에서 선택소자나 저항변화 메모리 소자의 스위칭 산포특성에 의해 발생하는 리드 디스터번스(read disturbance) 현상을 방지할 수 있다.