P형 SiC 입자를 이용한 SiC MOSFET의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 SiC MOSFET

MANUFACTURING METHOD FOR SiC MOSFET USING P-DOPED POWDER AND SiC MOSFET MANUFACTURED USING THE SAME

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  10-2018-0173370

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  2018-12-31

• 공개번호

  10-2020-0082622

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  2020-07-08

• 등록번호

  10-2141030

• 등록일

  2020-07-29

본 발명은, 입자 충격 고화 현상을 이용하여 상온에서도 높은 속도로 트렌치를 채울 수 있는 SiC MOSFET을 제조하는 방법 및 이를 이용하여 제조한 SiC MOSFET에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은, SJ(super-junction) 구조 MOSFET의 제조 방법에 있어서, N형 도펀트(dopant)로 도핑된 기판(substrate)을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 드리프트층을 형성하는 단계, 상기 기판과 상기 드리프트층에 트렌치를 형성하는 단계, 및 파우더를 상기 형성된 트렌치에 충돌시켜 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 MOSFET에 관한 것이다.

압력센서, 그를 포함하는 압력센서 매트릭스 어레이 및 그의 제조방법

PRESSURE SENSOR, PRESSURE SENSOR MATRIX ARRAY COMPRISING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

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  10-2017-0093970

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  2017-07-25

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  10-2019-0011431

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  2019-02-07

• 등록번호

  10-1982177

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  2019-05-20

본 발명은 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 위치하고 전도체를 포함하는 전도층과, 상기 전도층 상에 위치하고 상기 전도층과 접하거나 이격되고 고분자 및 상기 고분자에 분산된 반도체를 포함하는 활성층 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 압력센서, 그를 포함하는 압력센서 매트릭스 어레이 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 압력센서 및 압력센서 매트릭스 어레이는, 저항에 대하여 높은 민감도의 반응성을 가진 압력 센서 매트릭스에서 픽셀 간 전기적 누화를 정류 계면을 이용하여 제거하여 고해상도 압력센서 배열을 만들 수 있으며, 또한 공정 비용과 공정의 복잡도를 줄여서 산업적인 적용에 유리한 효과가 있다.

어순 조정 및 형태소 차이에 기반한 통계 기반 기계 번역 시스템 및 그 방법

Statistical Machine Translation System based on Word Reordering and Morpheme Difference and Method thereof

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  10-2014-0077998

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  2014-06-25

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  10-2016-0000632

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  2016-01-05

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  10-1670995

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  2016-10-25

어순 조정 및 형태소 차이에 기반한 통계 기반 기계 번역 시스템 및 그 방법이 개시된다. 이 시스템에서 어순 조정부는 기계 번역의 전처리 과정으로, 번역 대상의 제1 원문을 입력받아서 어순 조정을 명시한 계층 구조를 사용하여 어순 조정된 제2 원문을 생성하여 출력한다. 통계 기반 기계 번역부는 상기 어순 조정부에서 출력되는 제2 원문에 대한 통계 기반의 기계 번역을 수행하여 상기 제1 원문에 대응되는 번역문을 생성하여 출력한다.

수직적층구조의 3차원 정적램 코어 셀 및 그를 포함하는 정적램 코어 셀 어셈블리

3D SRAM CORE CELL HAVING VERTICAL STACKING STRUCTURE AND CORE CELL ASSEMBLY COMPRING THE SAME

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  10-2015-0188828

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  2015-12-29

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  10-2017-0078373

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  2017-07-07

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  10-1855846

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  2018-05-02

게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 갖는 6개의 박막 트랜지스터로 구성되는 정적램 코어셀이고, 정적램 코어셀은 비트라인과 워드라인에 각각 연결되어 데이터의 기록 및 독출을 선택하는 2개의 스위칭용 박막트랜지스터; 및 전원전압(Vdd) 또는 접지전압(Vss)에 연결되어 데이터가 기록 및 독출되는 4개의 데이터 저장용 박막 트랜지스터를 포함하고, 정적램 코어셀은 6개의 박막 트랜지스터 중에서 선택된 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터층; 제1 트랜지스터층 상에 위치하고, 나머지 4개의 박막 트랜지스터 중에서 선택된 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 트랜지스터층; 및 제2 트랜지스터층 상에 위치하고, 나머지 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제3 트랜지스터층;을 포함하고, 제1 트랜지스터층의 1종 이상의 전극과 제2 트랜지스터층의 1종 이상의 전극이 전기적 연결되고, 제2 트랜지스터층의 1종 이상의 전극과 제3 트랜지스터층의 1종 이상의 전극이 전기적 연결된 것인 수직적층구조의 3차원 정적램 코어셀이 제공된다. 이에 의하여, 본 발명의 수직적층구조의 3차원 정적램 코어셀은 동일한 평면상에 동일한 타입의 유기트랜지스터를 배치하여 수직으로 적층시킴으로써 메모리소자 제조시 상이한 타입의 유기 트랜지스터를 형성하기 위한 복잡한 패터닝 공정을 생략하고, 메모리소자가 차지하는 면적을 줄여 반도체 회로의 집적도를 향상시킬 수 있다.

말미잘 유래 재조합 실크 단백질, 이의 생산방법 및 이를 포함하는 실크 섬유 제조용 조성물

Recombinant silk protein derived from sea anemone, method for produing the same, and composition for preparing silk fiber comprising the same

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  10-2012-0002161

• 출원일

  2012-01-06

• 공개번호

  10-2012-0103435

• 공개일

  2012-09-19

• 등록번호

  10-1380786

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  2014-03-27

본 발명은 말미잘 유래 재조합 실크 단백질, 이의 생산방법 및 이를 포함하는 실크 섬유 제조용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 말미잘 유래 재조합 실크 단백질은 거미와 누에 유래 실크 단백질의 유전 정보와 유사한 서열적 특징을 가지며, 형질전환체로부터 다량의 말미잘 유래 재조합 실크 단백질을 생산할 수 있고, 강도 및 탄성력 등의 물성이 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 말미잘 유래 재조합 실크 단백질은 천연 실크 단백질이 적용될 수 있는 다양한 산업 분야에 유용하게 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 말미잘 유래 재조합 실크 단백질 특유의 기계적 물성에 기초하여 신규 산업 분야를 창출할 수 있을 것으로 기대된다.

탈질반응을 위한 이중금속 나노입자와 그래핀옥사이드를 포함하는 광촉매 및 이를 이용한 수처리 방법

PHOTOCATALYST COMPRISING BIMETALLIC NANOPARTICLE AND GRAPHENE OXIDE FOR DENITRIFICATION REACTION, AND WATER TREATMENT METHOD USING SAME

• 출원번호

  10-2021-0019981

• 출원일

  2021-02-15

• 공개번호

  10-2022-0117376

• 공개일

  2022-08-24

• 등록번호

  10-2449541

• 등록일

  2022-09-27

본 발명은 이산화티타늄(TiO2)을 포함하는 이산화티타늄 입자; 상기 이산화티타늄 입자의 표면의 전부 또는 일부 상에 위치하고, 그래핀(Graphene), 환원된 그래핀 옥사이드(reduced Graphene Oxide, rGO) 및 탄소나노튜브(Carbon nano-tube, CNT)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 탄소재료; 및 상기 탄소재료 상에 담지되고, 제1 금속 나노입자 및 제2 금속 나노입자를 포함하는 이중금속(bimetallic) 나노입자; 를 포함하는 광촉매 및 이를 이용한 수처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광촉매 및 이를 이용한 수처리 방법은 이중금속 나노입자 및 그래핀 옥사이드를 포함하는 광촉매를 제조함으로써, 외부의 전자 공여체를 사용하지 않고도 고환원률 및 질소 기체로의 고선택성의 효과가 있다.

코콜리드와 코콜리드로부터 합성된 탄산수산화인회석 기반의 골이식재

Bone graft substitutes based on coccoliths and carbonated hydroxyapatite synthesized from coccoliths

• 출원번호

  10-2018-0121035

• 출원일

  2018-10-11

• 공개번호

  10-2019-0040919

• 공개일

  2019-04-19

• 등록번호

  10-2285323

• 등록일

  2021-07-28

본 발명은 코콜리드 및 코콜리드 기반의 탄산수산화인회석으로 제조한 골이식재에 관한 것으로, 풍부한 해양 자원인 코콜리드를 사용하여 생체적합성과 세포친화성을 가진 골이식재를 제공한다.

절연체-금속 전이 소자 기반의 전계 효과 트랜지스터

MOSFET based on Insulator-Metal Transition

• 출원번호

  10-2018-0159373

• 출원일

  2018-12-11

• 공개번호

  10-2020-0071534

• 공개일

  2020-06-19

• 등록번호

  10-2140638

• 등록일

  2020-07-28

본 발명은 게이트 저항-커패시터 지연 시간을 이용한 가파른 문턱 전압 이하 기울기를 갖는 절연체-금속 전이 소자 기반의 전계 효과 트랜지스터를 제공한다. 이는 특정 문턱 전압에서 낮은 전류를 흐르게 하는 부도체 상태에서 높은 전류를 흐르게 하는 도체 상태로 전이하여 전기적으로 스위치 역할을 수행할 수 있는 절연체-금속 전이 소자의 특성을 이용하여 종래의 트랜지스터의 한계를 뛰어 넘을 수 있는 가파른 문턱 전압 이하 기울기를 가질 수 있다. 또한, 절연체-금속 전이 소자를 별도의 외부 커패시터를 사용하지 않고, 트랜지스터의 게이트에 연결 및 증착하여 외부 커패시터를 트랜지스터의 기생 커패시턴스로 대체함으로써 매우 가파른 문턱 전압 기울기(<8mV/dec)를 구현할 수 있다.

피펫 팁 및 이를 제조하는 방법

PIPETTE TIP AND METHOD FOR MANUFACTUING THE SAME

• 출원번호

  10-2017-0091109

• 출원일

  2017-07-18

• 공개번호

  10-2019-0009185

• 공개일

  2019-01-28

• 등록번호

  10-1981556

• 등록일

  2019-05-17

본 발명은 화학, 생명과학, 의학 등의 분야에서 극소량의 액체를 다루는 피펫(Pipette)에 관한 것이다. 보다 상세하게는 상기 피펫의 팁(TiP)과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

단일 인덕터를 이용한 배터리 모듈 밸런싱 방법

METHOD FOR BALANCING BATTERY MODULE USING SINGLE INDUCTOR

• 출원번호

  10-2017-0015095

• 출원일

  2017-02-02

• 등록번호

  10-1856037

• 등록일

  2018-05-02

본 발명은, 본 발명은 단일 인턱터를 이용하여 배터리 모듈을 밸런싱하는 기술에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 배터리셀들을 모듈화 한 각각의 배터리 모듈 내에서 단일 인턱터를 이용하여 복수 개의 배터리 셀을 대상으로 밸런싱함과 아울러 단일 인덕터를 이용하여 복수 개의 배터리 모듈들을 대상으로 밸런싱하여 밸런싱 횟수를 줄이고 밸런싱 전력을 높여 밸런싱 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.