금속 아산화물 및 이의 제조 방법

METAL SUBOXIDE AND METHOD OF PREPARING SAME

• 출원번호

  10-2012-0012565

• 출원일

  2012-02-07

• 공개번호

  10-2013-0091219

• 공개일

  2013-08-16

• 등록번호

  10-1880152

• 등록일

  2018-07-13

약 1.5 m2/g 이상의 비표면적을 가지는 금속 아산화물(metal suboxide), 상기 금속 아산화물을 포함하는 촉매, 상기 금속 아산화물을 포함하는 전기화학장치, 그리고 상기 금속 아산화물의 제조 방법을 제공한다.

알바트렐러스 플레티에서 추출된 비만 치료 또는 예방용 화합물

ISOLATION OF SINGLE COMPOUND FROM Albatrellus fletti ITS APPLICATION IN TREATING AND PREVENTING OBESITY

• 출원번호

  10-2014-0061912

• 출원일

  2014-05-22

• 공개번호

  10-2015-0135642

• 공개일

  2015-12-03

• 등록번호

  10-1722297

• 등록일

  2017-03-27

본 발명은 알바트렐러스 플레티 버섯에서 추출된 화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비만의 치료, 예방 등에 유효한 알바트렐러스 플레티 버섯의 알코올 추출물에서 유효 성분으로 분리된 비만 치료 또는 예방용 화합물에 관한 것이다. 본 발명의 화합물은 하기 화학식(1)로 이루어진다. (1)

전력 공급 장치를 포함하는 권선형 동기 모터

WOUND SYSCHRONOUS MOTOR COMPRISING POWER SUPPLY

• 출원번호

  10-2013-0036011

• 출원일

  2013-04-02

• 등록번호

  10-1448608

• 등록일

  2014-10-01

본 발명은 전기자동차의 구동 시스템에 사용되는 권선형 동기 모터에 관한 것으로, 모터에 사용된 것과 동일한 형태의 회전 트랜스(rotary transformer)를 사용하여 비용을 줄이고, 모터 하우징에 쉽게 설치할 수 있다. 즉, 본 발명의 권선형 동기 모터는 제1 고정자 권선을 포함하여 모터 하우징에 고정되는 제1 고정자와, 제1 회전자 권선을 포함하여 모터 축에 연결되는 제1 회전자, 그리고 제2 고정자 권선과 제2 회전자 권선을 포함하며 외부 전원을 공급받아 전류를 유기하고 유기된 전류를 제1 회전자 권선에 공급하는 전력 전달 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 권선형 동기 모터는 기계적 접촉없이 권선형 동기 모터의 제1 회전자 권선에 전류를 공급할 수 있다.

재생 가능한 세라믹 촉매필터를 포함하는 필터링 시스템

Filtering system including recyclable ceramic catalyst filter and method of managing filtering system

• 출원번호

  10-2021-0079138

• 출원일

  2021-06-18

• 공개번호

  10-2022-0169119

• 공개일

  2022-12-27

재생 가능한 세라믹 촉매필터를 포함하는 필터링 시스템에 관해 개시되어 있다. 개시된 필터링 시스템은 공기가 유입되는 복수의 채널을 포함하는 촉매 필터와, 상기 촉매 필터에 촉매 활성화를 위한 광이 조사되도록 배치된 광 방출부를 포함하고, 상기 광 방출부는 상기 복수의 채널에 일대 일로 대응하는 복수의 제1 광원을 포함하는 광원 어레이를 포함한다. 상기 복수의 제1 광원은 각각 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 광 방출소자와, 상기 기판 상에서 상기 제1 광 방출소자를 밀봉하는 캡슐을 포함할 수 있다. 일 예에서, 상기 캡슐 내에 상기 제1 광 방출소자 1개만 구비될 수 있다. 일 예에서, 상기 캡슐 내에 상기 제1 광 방출소자와 함께 제2 광 방출소자가 더 구비될 수 있다.

바코팅을 이용한 유기 반도체 박막 제조방법 및 그를 포함하는 유연 유기반도체 트랜지스터의 제조방법

METHOD FOR PREPARING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM USING BAR-COATING METHOD, AND FLEXIBLE ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR COMPRISING THE SAME

• 출원번호

  10-2018-0065956

• 출원일

  2018-06-08

• 공개번호

  10-2019-0139464

• 공개일

  2019-12-18

• 등록번호

  10-2325952

• 등록일

  2021-11-08

본 발명은 (a) 용매, 저분자 유기반도체 및 고분자 유기반도체를 포함하는 반도체 잉크를 제조하는 단계; 및 (b) 바(bar)를 이용한 바코팅(bar coating) 방법으로 상기 반도체 잉크를 기판 상에 코팅하여 수직방향으로 상분리 된 유기반도체 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 유기반도체 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 바코팅법은 높은 전하이동도를 갖는 저분자 유기반도체 물질과 고분자 유기반도체를 혼합한 반도체 잉크를 사용하고, 기판과 코팅바 사이의 유격(gap)을 조절함으로써, 저분자 유기반도체와 고분자 유기반도체의 수직 상분리 현상을 제어할 수 있다. 또한, 유격이 조절된 코팅바의 속도를 제어하여 결정성장을 제어함으로써, 박막의 균일성을 향상시켜 대면적의 고품위 유기반도체 결정체 박막을 연속적으로 제조할 수 있다. 또한, 반도체 잉크의 수직상분리 현상과 결정성장이 제어된 유기반도체 박막을 사용하여 안정성이 우수하고 전하이동도가 우수한 유연 유기반도체 트랜지스터를 제공할 수 있다.

전해질을 포함하는 스파이크열 출력형 압력센서 및 그의 제조방법

SPIKE TRAIN SIGNALING PRESSURE SENSOR COMPRISING ELECTROLYTE AND METHOD OF PREPARING SAME

• 출원번호

  10-2019-0053737

• 출원일

  2019-05-08

• 등록번호

  10-2172342

• 등록일

  2020-10-26

전해질을 포함하는 포함하는 스파이크열 출력형 압력센서 및 그의 제조방법이 개시된다. 상기 압력센서는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 위치하고, 전해질을 포함하는 패턴을 갖는 압력 감지부; 상기 제1 전극 상에 위치하고, 상기 압력 감지부의 일부 또는 전부를 둘러싸는 스페이서; 및 상기 스페이서와 상기 압력 감지부 상에 위치하고, 상기 압력 감지부와 이격하여 위치하는 제2 전극; 을 포함한다. 본 발명의 압력센서는 주파수 기반 신호의 일종인 스파이크열의 안정적 신호 전달로 노이즈가 발생할 수 있는 환경에서도 신뢰성 있는 압력 센싱 결과를 제시할 수 있다.

효율적으로 펩티드 사슬을 절단하는 효소에 감응하는 나노입자 표면 분자체 및 그 제조방법

DESIGNED SURFACE MOLECULES OF NANOPARTICLES EFFICIENTLY RESPONDOING TO PROTEOLYTIC ENZYME AND MANUFACTURING MEHTODS THEREOF

• 출원번호

  10-2017-0099169

• 출원일

  2017-08-04

• 공개번호

  10-2019-0015685

• 공개일

  2019-02-14

• 등록번호

  10-2011566

• 등록일

  2019-08-09

본 발명은 효율적으로 펩티드 사슬을 절단하는 효소에 감응하는 나노입자 표면 분자체 및 그 제조방법에 관한 것이다.

수처리용 나노 입자 및 그 제조 방법

Nanoparticle for purification of pollutants in water and a manufacturing methods thereof

• 출원번호

  10-2015-0007242

• 출원일

  2015-01-15

• 공개번호

  10-2016-0088461

• 공개일

  2016-07-26

• 등록번호

  10-1721306

• 등록일

  2017-03-23

본 발명은 수처리용 나노 입자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 호기성 및/또는 빛이 없는 상태에서도 높은 수처리 특성을 가지는 새로운 나노 입자, 그 제조 방법 및 이를 이용한 수처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수처리 방법은 은-비스무스로 이루어진 나노입자들을 이용하여 오염 물질을 처리하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 수처리제는, 간편한 방법으로 영가(Zero-valent)의 은-비스무스 나노입자(Ag-Bi)를 제조할 수 있으며, 이들 표면에서의 전자이동 및 산화 화학종(Oxidizing species)의 생성은 수계 내 오염물질 분해에 효과적이며 이를 통해 기존 나노소재들의 단점들이 보완 가능하고 실제 현장 적용가능성이 향상된다.

중첩 오버래핑 기반의 서브 그래프 리스팅 방법

Subgraph listing method based on nested overlapping

• 출원번호

  10-2016-0129170

• 출원일

  2016-10-06

• 공개번호

  10-2016-0143600

• 공개일

  2016-12-14

• 등록번호

  10-1878844

• 등록일

  2018-07-10

위와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 디스크에 저장된 데이터 그래프에 대하여 질의 그래프에 대한 서브 그래프 리스팅 방법에 있어서, 상기 디스크로부터 메모리의 내부 구역에 상기 데이터 그래프의 일부를 로드 하는 단계; 내부 메인 스레드가 상기 메모리에 로드 된 정점에 대하여 내부 서브 그래프 리스팅을 수행하는 단계; 외부 메인 스레드가 메모리의 피벗 구역 및 외부 구역에 데이터 정점의 로드를 추가적으로 요청하고 추가 스레드가 메모리에 로드 된 정점에 대하여 외부 서브 그래프 리스팅을 수행하는 단계;를 포함하되, 상기 내부 메인 스레드와 상기 외부 메인 스레드 및 상기 추가 스레드의 수행이 일정 기간 이상 오버랩 되어 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 서브 그래프 리스팅 방법이 제공된다. 본 발명의 서브 그래프 리스팅 방법에 의하면 데이터 그래프가 큰 경우라도, 디스크 접근 횟수를 최소화하여 데이터 그래프의 질의 그래프에 대한 서브 그래프 리스팅을 효율적으로 수행할 수 있다. 본 발명의 서브 그래프 리스팅 방법에 의하면, 질의 그래프를 R B I 그래프로 변환하고 후보 트리를 사용함으로써, 대규모의 데이터 그래프에 대하여 디스크의 I/O 횟수를 대폭 감소 시킬 수 있다. 본 발명의 서브 그래프 리스팅 방법은 메모리 버퍼를 내부, 피벗 및 외부 서브 구역으로 구별하고, 내부 서브 그래프 리스팅 및 피벗 구역과 외부 구역의 서브 그래프 리스팅을 멀티 스레드로 오버 래핑하여 독립적으로 수행할 수 있어 수행 속도를 크게 개선할 수 있다. 특히, 본 발명의 서브 그래프 리스팅 방법은 메인 스레드에 의한 디스크 I/O 시간 동안 추가 스레드로 외부 서브 그래프 리스팅을 오버래핑으로 동시에 수행할 수 있어 수행 속도를 개선하게 된다. 또한, 본 발명의 서브 그래프 리스팅 방법은 깊이 우선 탐색을 기반으로 한 R B I 매핑 방식을 이용하여 R B I 매핑 중간 결과를 저장하지 않아 저장 공간의 오버헤드 없이 효과적으로 R B I 매핑을 수행할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 서브 그래프 리스팅 방법은 멀티 스레드를 지원하여 스레드 증가에 따라 수행 속도가 비례하여 증가하게 된다.

3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서 및 그 제조방법

Nanowire Field-Effect Sensors having a 3-Dimensional Stacked Nanowire and the manufacturing method

• 출원번호

  10-2012-0140109

• 출원일

  2012-12-05

• 공개번호

  10-2014-0072508

• 공개일

  2014-06-13

• 등록번호

  10-1444260

• 등록일

  2014-09-18

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노선의 적층으로 3차원 구조로 형성하여 직선형 나노선 센서에 비하여 넓은 노출 표면적을 갖도록 함으로써 대상물질이 나노선에 부착되는 확률을 높이고 이를 통해 측정 감도를 향상할 수 있는 구조의 나노선을 갖춘 나노선 센서를 제공하여 나노선의 전기전도도(conductance 또는 resistance)의 변화를 더욱 민감하게 감지할 수 있어서 센서의 감도를 높일 수 있는 장점이 있다 또한, 상층부 나노선의 경우 매질이 나노선의 상부 및 측면부 뿐 아니라 하부에도 차게 되어 소자의 동작이 GAA(Gate-all-around) 와 같이 되어, 나노선의 게이트 제어능력이 향상됨에 따라 감도가 증가하게 된다. 또한, 병렬로 배치된 나노선의 영향으로 높은 전도도를 갖는 나노선이 전체 소자의 전도도에 영향을 미치게 되므로, 소자의 켜짐 특성이 병렬 연결된 나노선 중 우수한 성능의 나노선에 의하여 주요한 영향을 받아 평균적인 소자의 켜짐 특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.