포스텍 공개특허
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- Machinery 기계
- 정밀 측정 및 계측기기
나노크랙을 이용한 고 민감도, 고 변형율 측정센서 및 그 제조방법 및 변형율 측정 시스템
THE HIGH-SENSITIVE STRAIN SENSOR USING NANO-CRACK AND THE PROCESS OF THAT AND THE STRAIN SENSING SYSTEM COMPRISING THAT
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출원번호
10-2015-0027810 -
출원일
2015-02-27 -
공개번호
10-2016-0104921 -
공개일
2016-09-06 -
등록번호
10-1737525 -
등록일
2017-05-12
본 발명은, 비전도성이고 신축성 부재로 구성되는 제1 레이어, 전도체로 구성되며, 제1 레이어에 부착되며, 길이가 신장됨에 따라 복수의 크랙의 폭이 넓어짐으로써 저항이 증가되도록 구성되는 제2 레이어를 포함하는 변형율 측정센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 변형율 측정 시스템이 제공된다. 본 발명에 따른 나노 크랙을 이용한 고 민감도, 고 변형율 측정센서, 그 제조방법 및 변형율 측정 시스템을 이용하면, 저렴하게 생산이 가능하고, 미세한 변화량의 측정이 가능하며, 변형율의 측정범위가 극대화 될 수 있는 효과가 있다.
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- ET 환경공학기술
- 기후변화 대응 및 적응
고상 반응을 이용한 리튬 이차전지의 양극 활물질용 불소 화합물의 제조방법, 양극 및 이 양극을 포함하는 리튬 이차전지
METHOD OF MANUFACTURING FLUORINE COMPOUNDS AS A CATHODE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERIES USING SOLID STATE REACTION AND A CATHODE AND A LITHIUM SECONDARY BATTERY COMPRISING THE CATHODE
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출원번호
10-2013-0006571 -
출원일
2013-01-21 -
공개번호
10-2014-0094172 -
공개일
2014-07-30 -
등록번호
10-1489779 -
등록일
2015-01-29
본 발명은 하나의 고상 반응을 통해 리튬 이차전지의 양극 활물질로 사용할 수 있는 고순도의 불소 화합물을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 리튬 전구체, 금속 전구체, 인산염 전구체 및 불소를 포함하는 유기화합물 또는 불소를 포함하는 암모늄 화합물 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 전구체 혼합물을 가열하여 하기 화학식의 불소 화합물을 제조하는 것을 특징으로 한다. [화학식] LiMxPO4Fy (여기서, 0〈x≤1, 0〈y≤1, M은 Mn, V, Cr, Ti, Fe, Co, Ni, Nb, Mo 중에서 선택된 1종 이상임)
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
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출원번호
10-2020-0141007 -
출원일
2020-10-28 -
공개번호
10-2022-0056436 -
공개일
2022-05-06 -
등록번호
10-2496956 -
등록일
2023-02-02
본 발명은 게이트 전극을 포함하는 기판; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 cesium tin triiodide (CsSnI3) 또는 methylammonium tin triiodide(MASnI3)을 포함하고, 상기 반도체층은 첨가제를 더 포함하는 박막 트랜지스터를 개시한다.
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- ET 환경공학기술
- 기후변화 대응 및 적응
비중이 조절된 담체를 사용한 혐기/무산소 반응조, 이를 이용한 폐수처리장치 및 폐수처리방법
Anaerobic or anoxic reactor employing density-controlled medias, apparatus and method for treating wastewater using the same
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출원번호
10-2007-0030531 -
출원일
2007-03-28 -
공개번호
10-2008-0088108 -
공개일
2008-10-02 -
등록번호
10-0862184 -
등록일
2008-10-01
본 발명은 생물학적 혐기/무산소 반응조, 이를 이용한 폐수처리장치 및 폐수처리방법에 관한 것으로, 반응조 내에 유입 폐수의 분배를 위한 액체 분배관, 유입 공기 또는 무산소가스의 산기관, 가스와 담체를 배출되는 처리수로부터 분리하기 위한 처리수 분리기를 내장하고, 비중이 0.95이상 1.0 미만으로 조절된 담체를 반응조에 투입함으로써, 반응조 내로 가스가 주입되면 담체는 반응조 내에서 유동화하고 가스 공급이 중단되면 수 표면 아래 자가 부상된 고정층으로 존재하는 원리를 이용하여 고정상 또는 유동상의 반응조를 운전하는 방법을 제시한다. 또한 상기 고정상 또는 유동상 반응조에 폐수 원수에 더하여 반응조 내 BOD 농도 보다 더 낮은 후단 처리수를 2배 이상 과량으로 혼입시켜 반응조 내 독성 성분의 농도를 낮추고 담체 표면에 부착된 미생물막의 년령을 낮추어 제거효율을 극대화하는 획기적인 혐기조 및 무산소조 설계 및 운전 방법을 제시한다.
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- IT 정보통신기술
- 컴퓨팅 및 데이터 처리
가중치 비트폭을 탄력적으로 적용할 수 있는 가중치 셀
WEIGHT CELL WITH FLEXIBLE WEIGHT BIT-WIDTH
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출원번호
10-2019-0048108 -
출원일
2019-04-24 -
공개번호
10-2020-0124585 -
공개일
2020-11-03 -
등록번호
10-2351376 -
등록일
2022-01-11
본 발명의 실시예에 따른 가중치 비트폭을 탄력적으로 적용할 수 있는 가중치 셀은, 제1 워드 라인, 제1 비트 라인, 및 제2 선택 트랜지스터와 연결되는 제1 선택 트랜지스터와, 제2 워드 라인, 제2 비트 라인 및 제1 선택 트랜지스터와 연결되는 제2 선택 트랜지스터와, 제2 비트라인 및 입력과 연결되는 PMOS 트랜지스터를 포함하되, 제1 비트 라인은 출력과 연결되고, 제2 비트 라인은 PMOS 트랜지스터를 통해 입력과 연결되며, 제1 워드 라인은 제1 비트 라인과 직교하여 배치되고, 제2 워드 라인은 제1 워드 라인 및 제2 비트 라인과 직교하여 배치된다.
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- ET 환경공학기술
- 기후변화 대응 및 적응
촉매점, 이를 포함하는 양극 활물질 및 리튬-황 이차전지
Catalytic site, positive electrode active material and lithium-sulfur battery comprising the same
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출원번호
10-2017-0069524 -
출원일
2017-06-05 -
공개번호
10-2018-0133063 -
공개일
2018-12-13 -
등록번호
10-2183658 -
등록일
2020-11-20
본 발명은 촉매점, 이를 포함하는 양극 활물질 및 리튬-황 이차전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 리튬-황 이차전지의 방전시 양극에서 발생하는 황의 환원반응의 kinetic을 향상시키는 촉매를 포함하는 촉매점을 양극 활물질에 도입함으로써, 리튬-황 이차전지의 고성능화를 구현할 수 있다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
표면 개질된 고분자막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자의 제조방법
METHOD FOR PREPARING SURFACE MODIFIED POLYMER THIN FILM AND METHOD FOR FABRICATING ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME
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출원번호
10-2017-0170331 -
출원일
2017-12-12 -
공개번호
10-2019-0069946 -
공개일
2019-06-20 -
등록번호
10-2026191 -
등록일
2019-09-23
본 발명은 고분자막을 광조사하면서 광산 발생제(Photoacid generator)로 표면 처리하여 상기 고분자막의 표면에 수산화기(-OH)를 형성하는 단계 (a);를 포함하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 광산발생제를 통해 고분자막에 수산화기(-OH)를 도입함으로써, 고분자막의 손상없이 표면을 개질할 수 있는 효과가 있다. 또한, 표면이 개질된 고분자막을 포함하는 유기전자소자의 전기적 특성 및 안정성이 향상되는 효과가 있다.
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- Machinery 기계
- 산업용 처리 및 자동화 설비
초고강도 고망간강 및 이의 제조방법
HIGH MANGANESE STEEL HAVING ULTRA HIGH STRENGTH AND GOOD DUCTILITY AND PREPARATION METHOD FOR THE SAME
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출원번호
10-2017-0020287 -
출원일
2017-02-15 -
공개번호
10-2018-0066801 -
공개일
2018-06-19 -
등록번호
10-1899236 -
등록일
2018-09-10
본 발명은 마르텐사이트상의 생성을 억제하고, 다중 강화기구가 발현되도록 하는 미세조직 제어를 통해, 초고강도와 동시에 비교적 양호한 연신율을 갖는 고망간강에 관한 것이다. 본 발명에 따른 초고강도 망간강은, Mn 15~20 질량%, C 0.5~1.0 질량%를 포함하고, 미세조직에 있어서, 오스테나이트 상을 주상으로 하며, 상기 오스테나이트 상의 평균 결정립 크기는 200nm 이하이고, 상기 오스테나이트 상에 생성된 쌍정의 평균 두께는 15nm 이하이고, 상기 오스테나이트 상의 결정립계에는 합금성분의 편석에 의한 석출물이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
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- Machinery 기계
- 의료기계 및 장치
광음향/초음파 융합 카테터와 이를 이용한 통합 영상 획득 시스템 및 방법
INTEGRATED INTRAVASCULAR PHOTOACOUSTIC/ULTRASOUND CATHETER, AND SYSTEM AND METHOD FOR CO-REGISTERED IMAGING
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출원번호
10-2015-0131918 -
출원일
2015-09-17 -
공개번호
10-2017-0033743 -
공개일
2017-03-27 -
등록번호
10-1737440 -
등록일
2017-05-12
본 발명은 광음향/초음파 융합 카테터와 이를 이용한 통합 영상 획득 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 회전스테이지(Rotary Stage)와 연결되는 몸체; 및 상기 몸체와 연결되어 광음향/초음파 신호를 얻는 헤드를 포함하되, 상기 헤드는, 광음향/초음파 신호를 주고받을 수 있는 초음파 트랜스듀서; 상기 헤드 및 몸체를 통과하며, 상기 초음파 트랜스듀서 방향으로 레이저를 전달하는 광섬유; 상기 광섬유의 상기 초음파 트랜스듀서 방향의 말단에 접착되어, 상기 광섬유를 통해 전달된 레이저를 목표 세포조직으로 방사형으로 퍼지게 방출하는 프리즘; 및 상기 헤드 및 몸체를 통과하며, 상기 초음파 트랜스듀서와 연결되어 상기 초음파 트랜스듀서를 통해 얻어진 광음향 신호를 영상 처리부로 전달하는 전선을 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 본 발명에서 제안하고 있는 광음향/초음파 융합 카테터와 이를 이용한 통합 영상 획득 시스템 및 방법에 따르면, 초음파 영상과 광음향 영상기법을 융합함으로써, 기존의 단독 초음파 영상이 가지고 있는 다양한 장점을 유지하는 동시에 광음향 영상이 가지고 있는 생리학적 정보 획득, 우수한 명암 대조비 및 공간 분해능 등 새로운 장점을 결합시켜 병변을 기존 방법들에 비해 더욱 정확하게 진단할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 광섬유와 초소형 프리즘을 이용함으로써, 조밀한 카테터 내부 구조에 의해 카테터 크기가 감소하며, 광섬유에서 빛을 방출할 때 방사형으로 퍼지게 함으로써, 동일한 용도의 광학 내시경보다 영상 측정 거리가 깊고, 가변파장 레이저의 한계펄스 속도에 맞춤으로써, 초고속 영상이 가능하여 이전 카테터에 비해 획기적인 효과를 얻을 수 있다.
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- NT 초정밀원자세계기술
- 반도체 및 나노 소자 기술
비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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출원번호
10-2013-0146121 -
출원일
2013-11-28 -
등록번호
10-1487626 -
등록일
2015-01-22
멀티층 TiOx의 산소 프로파일 제어를 통해 터널 장벽 특성을 개선함으로써 높은 비선성형,내구성,및 균일도를 가지는 선택소자가 없는 ReRAM 소자가 개시된다. 선택소자가 없는 ReRAM 소자에서 TiOx의 산소 프로파일을 최적화함으로써 1S1R 타입 다바이스에 비해 비선형성 및 리드아웃 마진(1/2 Vread에서 낮은 ILRS)이 현저히 개선된다 그에 더해, 셋과 리셋 모드 모두에 대해 삼각 펄스를 인가하여 현저히 개선된 AC 스위칭 내구성이 얻어진다.