변태유기소성 고엔트로피 합금 및 이의 제조방법

Transformation Induced Plasticity High Entropy Alloy and Manufacturing Method for the Same

• 출원번호

  10-2018-0006851

• 출원일

  2018-01-19

• 공개번호

  10-2019-0046593

• 공개일

  2019-05-07

• 등록번호

  10-2054735

• 등록일

  2019-12-05

본 발명은 극저온에서의 변형시에 상변태가 발생하여 종래에 비해 향상된 기계적 특성을 얻을 수 있는 변태유기소성 고엔트로피 합금에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고엔트로피 합금은, Co: 10 ~ 35 at%, Cr: 3 ~ 15 at%, V: 3 ~ 15 at%, Fe: 35 ~ 48 at%, Ni: 0 ~ 25 at% 미만을 포함하고, 상온에서 주로 FCC 상으로 이루어지고, 극저온(-196℃)에서 FCC 상의 적어도 일부가 BCC 상으로 변하는 소성유기변태가 발생하는 것을 특징으로 한다.

쿡 컨버터 기반의 계통 연계형 단일단 인버터

Grid connected single-stage inverter based on cuk converter

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  10-2017-0043177

• 출원일

  2017-04-03

• 공개번호

  10-2018-0112361

• 공개일

  2018-10-12

• 등록번호

  10-1920469

• 등록일

  2018-11-14

본 발명은 쿡 컨버터를 이용하여 신재생 에너지 모듈로부터 공급되는 직류전압을 전파 정류된 정현파의 전압으로 변환하고, 언폴딩 브릿지회로부를 통해 전파 정류된 정현파의 전압의 반주기를 부극성으로 전환하여 정현파의 전압을 출력하여 계통전원에 공급함으로써 위상 뒤짐 영향을 보상하고 계통 외란 환경에서 전고조파 왜곡률을 감쇄시킬 수 있는 쿡 컨버터 기반의 계통 연계형 단일단 인버터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 쿡 컨버터 기반의 계통 연계형 단일단 인버터에 의하면 고전력 밀도 및 저비용으로 직류 전력을 교류 전력으로 생산하는 것이 가능하며 특히, 계통 외란과 우반면 제로 특성에 의한 출력 제어가 어려운 환경 속에서도 안정적으로 계통 전원에 전력을 공급할 수 있는 효과가 있다.

상향식 저항변화메모리 및 상향식 저항변화메모리의 제조방법

Bottom-up resistive random access memory and method of fabricating the same

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  10-2015-0054416

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  2015-04-17

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  10-2016-0123792

• 공개일

  2016-10-26

• 등록번호

  10-1764336

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  2017-07-27

본 발명은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 복수개의 홀(hole)을 가지는 구조체를 형성하는 단계; 상기 복수개의 홀을 가지는 구조체 내에 전기화학증착(electrochemical deposition) 방법을 이용하여 제 1 금속층을 형성하는 단계; 상기 제 1 금속층 상에 금속산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 금속산화물층 상에 제 2 금속층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제 1 금속층, 상기 금속산화물층 및 상기 제 2 금속층은 연속적인 공정으로 바텀-업(bottom-up) 방식으로 성장시켜 형성된, 상향식 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 구현한 상향식 저항변화메모리를 제공한다.

타이로신 인산화효소를 감지하는 형광 프로브 및 이의 용도

Fluorescent probes for the detection of tyrosine kinase and use thereof

• 출원번호

  10-2013-0053252

• 출원일

  2013-05-10

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  10-2014-0133730

• 공개일

  2014-11-20

• 등록번호

  10-1524915

• 등록일

  2015-05-26

본 발명은 오쏘(ortho)-히드록시(hydroxy)-벤즈알데하이드(benzaldehyde) 구조를 포함하는 화합물을 이용한 타이로신 인산화효소(tyrosin kinase) 감지를 위한 형광 프로브 및 이의 용도에 관한 것으로, 구체적으로, 하기 화학식 1 또는 이의 유사체를 포함하는 타이로신 인산화효소 감지를 위한 형광 프로브, 및 이를 이용한 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의한 형광 프로브는 간편하게 합성할 수 있고, 이광자 여기가 가능하며, 생체 내에서 안정성 및 낮은 세포 독성을 갖는 작은 분자(small molecule) 프로브로서, 타이로신 인산화효소와 결합하여 형광 변화를 나타낼 수 있어, 타이로신 인산화효소를 과발현하는 세포 또는 조직을 영상화할 수 있으므로, 이러한 조직의 영상화용 조성물 및 영상화 방법에 유용하게 이용될 수 있다. 뿐만 아니라, 타이로신 인산화효소를 과발현하는 암 세포 또는 조직에 결합하여 형광을 나타낼 수 있어, 암 세포 또는 조직의 영상화에도 유용하게 이용될 수 있다: [화학식 1] .

네크워크 시스템에서 가상화 및 신뢰 플랫폼 모듈을 이용한데이터 보안 처리 방법 및 기록매체

Method for processing secret data based on virtualization and trusted platform module in network system, and computer readable recording medium

• 출원번호

  10-2008-0090498

• 출원일

  2008-09-12

• 공개번호

  10-2010-0031408

• 공개일

  2010-03-22

• 등록번호

  10-1069500

• 등록일

  2011-09-26

본 발명은 가상화(Virtualization) 및 신뢰 플랫폼 모듈 기술을 기반으로 하여 기밀 데이터가 외부로 유출되는 것을 방지하는 데이터 방화벽(Data Firewall) 보안 방법이다. 데이터 서버의 기밀 데이터는 암호화되어 저장되며, 암호화 키는 신뢰 플랫폼 모듈에 의하여 관리되며, 클라이언트 단말기는 가상화 기술에 의하여 업무를 위한 업무용 도메인과 서버에 저장되어 있는 기밀 데이터에 접근하기 위한 보안 도메인으로 구분됨으로써, 기밀 데이터의 외부 유출을 방지하며, 또한 관리자에 의한 데이터의 외부 유출을 막을 수 있는 이점이 있다.

이온화 가능한 금속 이온이 도핑된 CBRAM 기반의 선택 소자 및 이의 제조 방법

CBRAM-Based Selection Device Doped with Ionizable Metal Ions and Method of Manufacturing the Same

• 출원번호

  10-2020-0189257

• 출원일

  2020-12-31

• 공개번호

  10-2022-0096635

• 공개일

  2022-07-07

• 등록번호

  10-2516723

• 등록일

  2023-03-28

이온화 가능한 금속 이온이 산화물 박막에 도핑된 CBRAM 기반의 선택 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 이는 저항변화층에 형성되는 금속 필라멘트를 산화물 박막에 도핑된 금속 이온을 이용하여 제어되도록 함으로써 낮은 누설전류(off-current), 큰 선택비 및 빠른 스위칭 속도의 특성을 갖는 선택 소자의 구현이 가능하다. 또한, 비활성 전극 상에 증착되는 이온화 가능한 금속의 농도 변화에 의해 생성되는 필라멘트의 굵기를 제어할 수 있기 때문에 정교한 필라멘트 굵기 제어가 가능하다.

금속 유기 골격체 및 이의 제조방법

METAL-ORGANIC FRAMEWORK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• 출원번호

  10-2020-0053479

• 출원일

  2020-05-04

• 공개번호

  10-2021-0135135

• 공개일

  2021-11-12

• 등록번호

  10-2381413

• 등록일

  2022-03-28

본 발명은 금속 유기 골격체 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 금속 유기 골격체는, 내부에 기공을 포함하고, 기공 내에, 배위적으로 불포화된 금속 양이온, 금속 나노 결정, 및 효소를 포함한다.

기준 전압을 생성하기 위한 전자 회로

ELECTRONIC CIRCUIT FOR GENERATING REFERENCE VOLTAGE

• 출원번호

  10-2019-0068501

• 출원일

  2019-06-11

• 공개번호

  10-2020-0141677

• 공개일

  2020-12-21

• 등록번호

  10-2204130

• 등록일

  2021-01-12

본 발명은 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 및 제 3 트랜지스터를 포함한다. 제 1 트랜지스터는, 제 1 채널 폭 및 제 1 채널 길이를 갖고, 제 1 동작 전압에 기초하여 동작 전류를 통과시킴으로써 제 1 전위차를 생성한다. 제 2 트랜지스터는, 제 2 채널 폭 및 제 2 채널 길이를 갖고, 동작 전류에 기초하여 제 2 전위차를 생성한다. 제 3 트랜지스터는, 제 2 동작 전압 및 동작 전류에 기초하여 제 3 전위차를 생성한다. 제 1 동작 전압의 레벨과 제 1 전위차의 레벨의 합은, 제 2 동작 전압의 레벨, 제 2 전위차의 레벨, 및 제 3 전위차의 레벨의 합에 대응한다. 제 1 채널 폭이 제 2 채널 폭보다 크거나, 제 1 채널 길이가 제 2 채널 길이보다 길다.

12량체 TRAIL 및 HSV-TK 자살유전자를 동시에 발현하는 벡터 및 이를 이용한 항암 줄기세포 치료제

Vector coexpressing dodecameric TRAIL and suicide gene HSV-TK, and anticancer stem cell medicine using thereof

• 출원번호

  10-2013-0012051

• 출원일

  2013-02-01

• 공개번호

  10-2013-0089214

• 공개일

  2013-08-09

• 등록번호

  10-2053385

• 등록일

  2019-12-02

본 발명은 12량체 TRAIL을 암호화하는 핵산서열 및 자살유전자 핵산서열을 포함하는 DNA 카세트, 상기 DNA 카세트를 포함하는 재조합 발현벡터, 상기 재조합 발현벡터를 이용하여 제조된 재조합 아데노바이러스, 상기 재조합 아데노바이러스로 형질감염된 숙주세포, 및 상기 숙주세포를 포함하는 암 치료용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 DNA 카세트가 도입되어 12량체 TRAIL 및 HSV-TK를 동시에 생산하는 줄기세포 치료제는 기존 치료제에 비하여 항암 효과가 보다 우수하므로, 다양한 고형암 및 전이암 치료에 효과적으로 이용할 수 있다.

비스무트그래핀산화물을 함유한 요오드 흡착제 및 이를 포함한 고정층 컬럼 및 성형물

A iodine adsorbent containing bismuth graphene oxide and a fixed-bed column and moldings comprising the same

• 출원번호

  10-2016-0072811

• 출원일

  2016-06-11

• 공개번호

  10-2017-0140019

• 공개일

  2017-12-20

• 등록번호

  10-1920233

• 등록일

  2018-11-14

본 발명은 요오드를 효율적으로 제거할 수 있는 비스무트그래핀산화물을 함유한 요오드 흡착제 및 이를 포함한 고정층 컬럼 또는 성형물에 관한 것이다. 구체적으로 비스무트와 그래핀산화물을 반응시켜 비스무트그래핀산화물을 제조하는 방법과 제조된 비스무트그래핀산화물을 요오드 흡착제로 이용하는 비스무트그래핀산화물 용도에 관한 발명이다.