적응적 AR 스트리밍 서비스 제공을 위한 시스템, 장치 및 그 방법

System for providing adaptive AR streaming service, device and method thereof

• 출원번호

  10-2021-0171168

• 출원일

  2021-12-02

• 공개번호

  10-2023-0083085

• 공개일

  2023-06-09

• 등록번호

  10-2782017

• 등록일

  2025-03-11

본 발명의 적응적 AR 스트리밍 서비스 제공을 위한 시스템은, 시변하는 불안정한 네트워크에서 저연 및 고품질 AR 스트리밍 서비스를 제공하기 위해 프로그레시브 메쉬(Progressive Mesh) 기반 AR 콘텐츠를 적용하여 확장성을 제고하여 실제 AR 콘텐츠의 화면에 표시되는 3D 객체의 거리, 회전 각도, LOD에 따른 품질 정보를 효과적으로 압축 및 제공할 수 있는 방법과, 품질 정보를 효과적으로 압축 및 제공할 수 있는 방법을 활용하여 AR 스트리밍 서비스의 시각적 지각 품질을 향상시키기 위한 청크 스케줄링 방법을 이용한다.

도로 교통 흐름 예측 방법 및 장치

METHOD AND DEVICE FOR PREDICTING ROAD TRAFFIC FLOW

• 출원번호

  10-2024-0146542

• 출원일

  2024-10-24

• 공개번호

  10-2026-0059879

• 공개일

  2026-05-04

교차로로 유입이 예정된 자율 주행 차량 경로 정보, 및 상기 교차로에서 관측된 일반 차량의 교통량을 획득하는 단계, 및 상기 자율 주행 차량 경로 정보, 및 상기 일반 차량에 대한 교차로의 교통량, 및 상기 교차로의 기하 구조를 신경망에 입력하여 상기 교차로 내의 회전 방향별 교통량을 예측하는 단계를 포함하는, 도로 교통 흐름 예측 방법을 공개한다.

3차원 초분광 이미징 시스템, 방법 및 장치

SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR 3D HYPERSPECTRAL IMAGING

• 출원번호

  10-2024-0072842

• 출원일

  2024-06-04

• 공개번호

  10-2025-0173682

• 공개일

  2025-12-11

본 발명은 3차원 초분광 이미징 시스템, 방법 및 장치를 제공하는 것으로, 일 실시예에서 하나 이상의 패턴을 조사하는 프로젝터, 상기 프로젝터의 전방에 배치되는 회절 광학 소자, 상기 프로젝터로부터 조사되는 패턴이 상기 회절 광학 소자를 통과하여 생성되는 이미지를 획득하는 카메라 및 상기 프로젝터로부터 조사되는 패턴의 정보에 기초하여 상기 이미지에 포함되는 픽셀의 3차원 정보 및 초분광 정보를 도출하는 이미징 장치를 포함하는 3차원 초분광 이미징 시스템을 제공한다.

이리듐이 도핑된 니켈-철 복합 산화물을 포함하는 산소발생 전극 및 그 제조방법

Oxygen gGenerating Electrode Comprising Iridium-doped Nickel-Iron Composite Oxide and Manufacturing Method Thereof

• 출원번호

  10-2023-0011079

• 출원일

  2023-01-27

• 공개번호

  10-2024-0118525

• 공개일

  2024-08-05

• 등록번호

  10-2839572

• 등록일

  2025-07-24

본 발명이 일 측면은 수전해 전극에 있어서 귀금속의 사용량을 최소화하면서 동시에 높은 산소발생 효율을 가지는 수전해용 산소발생 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따라, 3차원 구조의 니켈 폼 지지체 및 상기 지지체 상에 형성되고 이리듐이 도핑된 니켈-철 산화물로 이루어지는 코팅층을 포함하는 수전해용 산소발생 전극을 제공할 수 있다.

나노 간극을 이용한 증강 라만 분석 장치 및 방법

ENHANCED RAMAN SPECTROSCOPY APPARATUS AND METHOD USING NANOGAP

• 출원번호

  10-2023-0116462

• 출원일

  2023-09-01

• 공개번호

  10-2025-0033835

• 공개일

  2025-03-10

본 개시의 일 실시예에 따른 증강 라만 분석 장치는 나노 크기의 나노 간극이 형성된 유연 기판; 상기 나노 간극과 상기 나노 간극에 인접하여 위치하는 측정 대상 물질에 빛을 조사하여 증강된 라만 산란 신호를 생성하는 라만 신호 생성부; 그리고 상기 유연 기판을 구부려서 상기 나노 간극의 간격을 조절하는 나노 간극 조절부를 포함한다.

암모니아 합성 장치 및 이를 이용한 암모니아 합성 방법

An ammonia synthesis device and a synthesis method of an ammonia using the same

• 출원번호

  10-2024-0147080

• 출원일

  2024-10-24

• 공개번호

  10-2026-0060126

• 공개일

  2026-05-04

본 발명의 일 실시예는, 서로 반대 극을 가지는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 전극부; 상기 전극부의 적어도 일부가 침지된 전해액; 및 상기 전극부 및 상기 전해액을 수용하는 내부용기;를 포함하고, 상기 제1 전극은 금속전극 및 상기 금속전극 상에 도포된 다공성 고분자층을 포함하며, 상기 다공성 고분자층은 카복실기(Carboxyl group)를 포함하는 제1 고분자 및 하이드록실기(Hydroxyl group)를 포함하는 제2 고분자를 포함하는 암모니아 합성 장치를 개시한다.

정신 질환 상담을 위한 인공지능 개발용 데이터셋 생성 방법 및 장치

METHOD AND APPARATUS OF GENERATING DATASET FOR DEVELOPING ARTIFICIAL INTELLIGENCE FOR MENTAL ILLNESS COUSELING

• 출원번호

  10-2024-0073259

• 출원일

  2024-06-04

• 공개번호

  10-2025-0173850

• 공개일

  2025-12-11

본 개시는 정신 질환 상담을 위한 인공지능 개발용 데이터셋 생성 방법 및 장치에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 데이터셋을 생성하기 위한 방법은, 얼굴 이미지 및 상기 얼굴 이미지에 대응되는 메타 데이터를 획득하는 단계, 상기 메타 데이터를 이용하여 이미지 캡션을 생성하는 단계, 상기 이미지 캡션을 대화형 인공지능에 제공하는 단계, 상기 이미지 캡션에 기초하여 상기 대화형 인공지능이 생성하는 가상 대화 데이터를 획득하는 단계 및 상기 얼굴 이미지 및 상기 가상 대화 데이터를 포함하는 상담 대화 데이터를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.

그래프 신경망의 기계 학습 장치 및 방법

GRAPH NEURAL NETWORK MACHINE LEARNING APPARATUS AND METHOD

• 출원번호

  10-2023-0031819

• 출원일

  2023-03-10

• 공개번호

  10-2024-0138294

• 공개일

  2024-09-20

• 등록번호

  10-2839938

• 등록일

  2025-07-24

본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 그래프 신경망의 기계 학습 장치는 그래프 신경망(GNN, graph neural network)의 기계 학습을 위하여 그래프의 연산에 필요한 데이터를 수신하고 연산을 수행하는 적어도 하나 이상의 프로세싱 엘리먼트(PE, processing element)를 포함하는 복수개의 프로세서 유닛들을 포함한다.

전하 이동 특성을 분석하는 스토리지 컨트롤러의 동작하는 방법

METHOD OF OPERATING STORAGE CONTROLLER ANALYZING CHARGE MIGRATION CHARACTERISTICS

• 출원번호

  10-2025-0019094

• 출원일

  2025-02-14

• 공개번호

  10-2025-0034048

• 공개일

  2025-03-10

본 개시의 일 실시 예에 따르면, 비-휘발성 메모리 장치와 통신하는 스토리지 컨트롤러의 동작하는 방법은 비-휘발성 메모리 장치의 셀 스트링의 순차적으로 연결된 제1 내지 제3 메모리 셀 트랜지스터들에 각각 대응하는 제1 내지 제3 상태들을 가리키는 패턴 정보를 결정하는 단계로서 제1 내지 제3 상태들의 각각은 소거 상태, 중립 상태, 또는 프로그래밍 상태를 가리키는 것, 제1 시점에서 패턴 정보에 기초하여 제1 내지 제3 메모리 셀 트랜지스터들이 각각 제1 내지 제3 상태들을 갖도록 셀 스트링을 제어하는 단계, 제1 시점 이후의 제2 시점에서 제1 내지 제3 메모리 셀 트랜지스터들 중 제2 메모리 셀 트랜지스터의 제1 읽기 동작에 기초하여 제1 문턱 전압 레벨 값을 획득하는 단계, 제2 시점 이후의 제3 시점에서 제2 메모리 셀 트랜지스터의 제2 읽기 동작에 기초하여 제2 문턱 전압 레벨 값을 획득하는 단계, 및 제1 문턱 전압 레벨 값 및 제2 문턱 전압 레벨 값의 차이에 기초하여 패턴 정보에 대응하는 전하 손실 값을 계산하는 단계를 포함한다.

원자층 증착법을 이용한 인듐-셀레늄-텔루륨 층의 형성방법 및 이를 이용하여 형성한 인듐-셀레늄-텔루륨 층

Method of manufacturing In-Se-Te layer using atomic layer deposition and In-Se-Te layer manufactured by the same

• 출원번호

  10-2025-0148564

• 출원일

  2025-10-15

• 공개번호

  10-2026-0060187

• 공개일

  2026-05-04

본 발명은, 원자층 증착법을 이용한 인듐-셀레늄-텔루륨 층의 형성방법 및 이를 이용하여 형성한 인듐-셀레늄-텔루륨 층을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 원자층 증착법을 이용한 인듐-셀레늄-텔루륨 층의 형성방법은, 챔버에 인듐 전구체 가스를 공급하여, 기판 상에 인듐을 흡착시키는 제1 단계; 상기 챔버에 불활성 퍼지 가스를 공급하는 제2 단계; 상기 기판을 수소 플라즈마 처리하여 상기 인듐을 인듐 수소화물로 형성하는 제3 단계; 상기 챔버에 불활성 퍼지 가스를 공급하는 제4 단계; 상기 챔버에 수소 제공 가스, 셀레늄 전구체 가스, 및 텔루륨 전구체 가스를 공급하여 상기 인듐 수소화물과 반응시킴으로써, 상기 기판 상에 인듐-셀레늄-텔루륨 층을 형성하는 제5 단계; 및 상기 챔버에 불활성 퍼지 가스를 공급하는 제6 단계를 포함한다.