엑스선 촬영 시스템

X-ray IMAGING SYSTEM

• 출원번호

  10-2024-0077632

• 출원일

  2024-06-14

• 공개번호

  10-2025-0177193

• 공개일

  2025-12-23

본 발명의 일 실시예에 엑스선 촬영 시스템은 엑스선 발생기, 엑스선 발생기로부터 발생된 엑스선의 경로상에 위치하는 시료 스테이지, 섬광체 및 거울, 섬광체로부터 발생된 가시광선의 경로상에 위치하는 제1 빔 스플리터, 제1 빔 스플리터로부터 분할된 제1 광과 제2 광을 각각 검출하는 제1 검출기와 제2 검출기를 포함하고, 제1 검출기와 제2 검출기는 서로 다른 배율의 렌즈를 포함한다.

웨이브 가이드 및 이를 포함하는 증강 현실 장치

WAVEGUIDE AND ARGMENTED REALITY DEVICE INCLUDING THE SAME

• 출원번호

  10-2024-0012302

• 출원일

  2024-01-26

• 공개번호

  10-2025-0116988

• 공개일

  2025-08-04

본 개시의 일 실시예에 따르면, 웨이브 가이드 및 이를 포함하는 증강 현실 장치는, 가이드 본체, 상기 가이드 본체에 배치되고, 외부 광원으로부터 입사된 광을 제1 방향으로 회절시키도록 구성된 제1 회절 소자, 상기 가이드 본체에 배치되고, 상기 제1 회절 소자에 의해 회절된 광을 회절시키도록 구성된 복수 개의 제2 회절 소자들을 포함하고, 상기 복수 개의 제2 회절 소자들 각각은, 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향을 따라 인접한 제2 회절 소자와 지정된 간격 이하로 이격될 수 있다. 이외에 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.

탈람파넬을 포함하는 스트레스 및 우울증 관련 질환의 개선, 예방 또는 치료용 조성물

Composition for improvement, prevention or treatment of stress and depression related diseases comprising talampanel

• 출원번호

  10-2022-0145184

• 출원일

  2022-11-03

• 공개번호

  10-2024-0063495

• 공개일

  2024-05-10

• 등록번호

  10-2787292

• 등록일

  2025-03-24

본 발명은 탈람파넬을 포함하는 스트레스 및 우울증 관련 질환의 개선, 예방 또는 치료용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 탈람파넬은 우수한 항우울 및 항스트레스 효능을 보유함에 따라, 스트레스 및 우울증 관련 질환의 개선 및 치료에 유용하게 이용될 수 있다.

안테나를 구비하는 차량용 글라스

AUTOMOTIVE GLASS EQUIPPED WITH ANTENNA

• 출원번호

  10-2024-0152361

• 출원일

  2024-10-31

• 공개번호

  10-2026-0064020

• 공개일

  2026-05-07

안테나를 구비하는 차량용 글라스가 제공된다. 차량용 글라스는, 제 1 글라스 레이어; 및 상기 제 1 글라스 레이어 상부에 배치되고 안테나 패턴을 구비하는 금속 박막 레이어; 를 포함한다. 여기서, 안테나 패턴은, 급전 라인으로부터 종방향으로 연장되어 미리 결정된 제 1 주파수 대역 신호를 방사하는 제 1 모노폴 안테나 패턴; 상기 제 1 모노폴 안테나 패턴으로부터 횡방향 제 1 측면으로 연장되는 제 1 횡방향 브랜치 (Branch) 패턴; 상기 제 1 모노폴 안테나 패턴의 상기 제 1 횡방향 브랜치 패턴의 연결점보다 급전부로부터 멀리 이격된 지점에서 횡방향 제 2 측면으로 연장되고 상기 제 1 주파수 대역보다 낮은 제 2 주파수 대역 신호를 방사하는 제 2 모노폴 안테나 패턴; 을 포함한다.

가속감 생성부 및 이를 포함하는 웨어러블 전자장치

Acceleration Sense Generating Unit And Wearable Electronic Apparatus Including The Same

• 출원번호

  10-2024-0060467

• 출원일

  2024-05-08

• 공개번호

  10-2025-0161202

• 공개일

  2025-11-17

• 등록번호

  10-2904908

• 등록일

  2025-12-23

본 발명은, 진동파를 생성하는 압전소자와; 상기 압전소자를 둘러싸는 하우징과; 상기 진동파를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 진동파는 0.4MHz 내지 1.5MHz의 주파수를 갖는 집속초음파이고, 상기 집속초음파는 인체의 적어도 하나의 귀의 적어도 하나의 반고리관에 위치하는 초점을 갖고, 상기 집속초음파는 상기 적어도 하나의 반고리관의 팽대정을 변형시켜 가속감을 생성하는 가속감 생성부를 제공한다.

강유전체 트랜지스터 및 그 제조 방법

Ferroelectric transistor and method of fabricating the same

• 출원번호

  10-2025-0099806

• 출원일

  2025-07-23

• 공개번호

  10-2025-0117344

• 공개일

  2025-08-04

본 발명의 일 관점에 따른 강유전체 트랜지스터는, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상의 게이트 전극층과, 상기 게이트 전극층 상에 형성되고, 하프늄계 산화물을 포함하는 강유전체층과, 상기 강유전체층 상에 형성되고 산화물 반도체를 포함하는 반도체 채널층과, 상기 게이트 전극층의 일측에서 상기 반도체 채널층에 연결된 드레인 전극층과, 상기 게이트 전극층의 타측에서 상기 반도체 채널층에 연결된 소오스 전극층을 포함할 수 있다.

서열 공진화 분석-기반 효소 활성 예측 방법 및 이의 용도

Methods for predicting enzyme activity based on sequence co-evolution analysis and uses thereof

• 출원번호

  10-2023-0121890

• 출원일

  2023-09-13

• 공개번호

  10-2025-0039541

• 공개일

  2025-03-21

본 발명은 서열 공진화 분석-기반 효소 활성 예측 방법 및 이의 용도에 관한 것으로, 서열 공진화를 기반으로 효소 활성을 효과적으로 예측 및 조절할 수 있는 도구 및 이를 활용한 활성 증대 돌연변이를 제공한다. 본 발명에 따라, 단백질 구조 정보 없이 효소의 서열 및 상동 서열만으로 효소 활성을 효과적으로 예측할 수 있고, 기존 구조 정보에 의존한 예측 방법들이 활성 및 기질 부위 인근의 돌연변이를 예측한 것과는 달리 효소 전반에 걸쳐 효소 활성 증대 돌연변이를 예측할 수 있음을 입증하였다. 또한, 이를 중요 목적 산물 생산 효소들의 활성 증대 돌연변이 제작에 활용할 수 있으며 이를 통해 목적 물질 생산 증대를 확인하였다. 따라서, 본 발명은 향후 기초 과학, 식품 공학, 의약학, 발효 공학을 포함한 전 바이오 분야의 효소 개량에 효율적으로 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

안테나를 구비하는 차량용 글라스

AUTOMOTIVE GLASS EQUIPPED WITH ANTENNA

• 출원번호

  10-2024-0152362

• 출원일

  2024-10-31

• 공개번호

  10-2026-0064021

• 공개일

  2026-05-07

안테나를 구비하는 차량용 글라스가 제공된다. 차량용 글라스는, 제 1 글라스 레이어; 및 상기 제 1 글라스 레이어 상부에 배치되고 안테나 패턴을 구비하는 금속 박막 레이어; 를 포함한다. 여기서, 안테나 패턴은, 급전 라인으로부터 종방향으로 연장되어 미리 결정된 제 1 주파수 대역 신호를 방사하는 제 1 모노폴 안테나 패턴; 상기 제 1 모노폴 안테나 패턴의 말단부로부터 횡방향 제 1 측면으로 연장되는 제 1 횡방향 브랜치 (Branch) 패턴; 상기 제 1 모노폴 안테나 패턴의 급전 라인 연결부와 말단부 사이 지점으로부터 횡방향 제 2 측면으로 연장되고, 미앤더 라인 (Meander line) 을 구비하며, 상기 제 1 주파수 대역보다 낮은 제 2 주파수 대역 신호를 방사하는 미앤더 방사 패턴; 을 포함한다.

주석기반 페로브스카이트 전계 효과 트랜지스터 메모리 및 그의 제조방법

Sn BASED PEROVSKITE FIELD EFFECT TRANSISTOR MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• 출원번호

  10-2024-0077021

• 출원일

  2024-06-13

• 공개번호

  10-2025-0176795

• 공개일

  2025-12-22

주석기반 페로브스카이트 전계 효과 트랜지스터 메모리 및 그의 제조방법이 개시된다. 상세하게는, 세슘 (Cs), 메틸암모늄(MA) 및 포름아마이디늄(FA)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상; 구조식 1로 표시되는 화합물; 불소(F), 염소(Cl), 브로민(Br) 및 아이오딘(I)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상; 및 주석(Sn);을 포함하는 페로브스카이트를 제공한다. 본 발명의 박막 트랜지스터 메모리는 p형 트랜지스터 및 메모리 소자로 활용이 가능하고, 균일하고 안정적인 메모리 소자 구동을 보이며 납을 포함하지 않아 친환경적인 소재로써 산업화에 용이하며, 추후 In memory processing을 위한 소자로써 활용이 가능하다.

스핀분극상태의 전기적 제어 방법, 스핀분극상태를 이용한 전기적 스위칭 방법 및 스위치 장치

METHOD FOR ELECTRICALLY CONROL SPIN-POLARIZED SURFACE STATE, METHOD FOR ELECTRICAL SWITCHING AND SWITCH DEVICE USING SPIN-POLARIZED SURFACE STATE

• 출원번호

  10-2023-0171596

• 출원일

  2023-11-30

• 공개번호

  10-2025-0082834

• 공개일

  2025-06-09

• 등록번호

  10-2843484

• 등록일

  2025-08-04

전기적 스위칭 방법은, 서로 전기적으로 분리된 제1 접점과 제2 접점, 및 상기 제1 접점과 상기 제2 접점 사이를 연결하며 미리 설정된 두께를 갖는 반도체 물질로 이루어진 반도체 물질층을 준비하는 단계; 및 상기 제1 접점과 상기 제2 접점 사이의 전기적 연결을 제어하기 위해, 상기 반도체 물질의 표면과 수직한 방향을 갖는 전기장을 상기 반도체 물질층에 인가함으로써 상기 반도체 물질의 위상절연체로의 위상 변화를 발생시키는 단계를 포함할 수 있다. 이때 상기 전기장은 상기 반도체 물질의 가전자대역의 최댓값과 전도대역의 최솟값에 의해 결정되는 크기를 갖는다. 상기 방법에 의하면, 반도체 물질에 전기장을 인가하여 가전자대역과 전도대역을 가까이 위치시켰을 때 물질 양단 표면에 존재하는 파동함수 간의 상호작용(스핀궤도결합)에 의해 스핀분극상태(spin-polarized surface state)를 유발할 수 있다.