산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자

ferroelectric semiconductor device based on oxide semiconductor

• 출원번호

  10-2023-0068598

• 출원일

  2023-05-26

• 공개번호

  10-2024-0057967

• 공개일

  2024-05-03

• 등록번호

  10-2813322

• 등록일

  2025-05-22

본 발명은 n형 산화물 반도체 층과 하프니아계 강유전체층 사이에 p형 산화물 반도체 층을 추가로 삽입한 산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자에 의하면, p형 산화물 반도체 층의 높은 정공 밀도로 인해 소거 동작이 이루어지도록 함으로써 강유전성 반도체 소자의 안정성을 유지하면서도 메모리 윈도우의 크기를 개선시킬 수 있는 효과가 있다.

h-BN 및 2D 물질 표면에 생성된 페로브스카이트 복합체, 그를 포함하는 전자소자 및 그의 제조방법

PEROVSKITE COMPLEX FORMED ON THE SURFACE OF h-BN AND 2D MATERIAL, ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

• 출원번호

  10-2024-0167579

• 출원일

  2024-11-21

• 공개번호

  10-2026-0024962

• 공개일

  2026-02-23

h-BN 및 2D 물질 표면에 생성된 페로브스카이트 복합체, 그를 포함하는 전자소자 및 그의 제조방법이 개시된다. 게이트 전극을 포함하는 기판(100); 상기 기판 상에 위치하는 절연막(200); 상기 절연막 상에 위치하는 소수성층(300); 상기 소수성층 상에 위치하는 반도체층(400); 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스 전극(500) 및 드레인 전극(600);을 포함하고, 상기 소수성층은 2차원 물질을 포함하는, 박막 트랜지스터(10)가 제공된다. 본 발명은 페로브스카이트를 육방정계 질화붕소 (hBN) 2차원 단일층 위에 증착시켜 균일하고 결함이 적으며 결정의 크기가 훨씬 큰 박막을 형성하여 정공 농도가 높지 않아 광전자 장치에 사용 가능한 주석 기반 페로브스카이트 복합체를 제공할 수 있다.

액상 합금촉매, 그의 제조방법 및 그를 이용한 단층 결정 내 열역학적으로 유도된 결정립계를 포함하는 이차원 칼코게나이드 박막

LIQUID ALLOY CATALYST, METHOD OF MANUFACTURING SAME AND TWO-DIMENSIONAL CHALCOGENIDE THIN FILM COMPRISING THERMODYNAMICALLY INDUCED GRAIN BOUNDARY IN A SINGLE-LAYER CRYSTAL USING SAME

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  10-2024-0046093

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  2024-04-04

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  10-2025-0147516

• 공개일

  2025-10-13

액상 합금촉매, 그의 제조방법 및 그를 이용한 단층 결정 내 열역학적으로 유도된 결정립계를 포함하는 이차원 칼코게나이드 박막이 개시된다. 상세하게는 알칼리 금속, 전이금속 및 산소를 갖는 합금(alloy)을 포함하고, 이차원 칼코게나이드(chalcogenide)의 박막의 합성에 사용하기 위한 액상 합금촉매를 제공한다. 본 발명은 화학적으로 불균일한 합성 환경을 독립적인 액상 합금촉매를 통하여 균일한 화학적 환경을 안정적으로 제공할 수 있다.

레반-카테콜 복합체, 이를 포함하는 조직 접착용 조성물 및 나노클러스터

LEVAN-CATECHOL COMPOSITE, COMPOSITION FOR TISSUE ADHESION AND NANOCLUSTER, COMPRISING THE SAME

• 출원번호

  10-2023-0049539

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  2023-04-14

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  10-2024-0019679

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  2024-02-14

• 등록번호

  10-2813031

• 등록일

  2025-05-22

본 발명은 레반-카테콜 복합체, 이를 포함하는 조직 접착용 조성물 및 나노클러스터에 관한 것으로, 구체적으로, 레반과 카테콜의 접합을 통하여 레반-카테콜 복합체를 제조하고, 이를 하이드로겔화 또는 나노클러스터화 시킴으로써, 습윤 환경에서의 조직 접착 용도, 상처 치유 용도, 지혈 용도 또는 약물 전달 용도에 응용할 수 있다.

시너지스틱 효과를 이용하여 폐전지로부터 Cu 분리 및 Co 회수하는 습식 추출 방법

A HYDROMETALLURGICAL METHOD FOR SEPARATING Cu AND RECOVERING Co FROM WASTE LITHIUM BATTERIES USING THE SYSNERGISTIC EFFECT

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  10-2023-0072611

• 출원일

  2023-06-07

• 공개번호

  10-2024-0173749

• 공개일

  2024-12-16

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  10-2931373

• 등록일

  2026-02-23

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 폐전지의 습식 추출 방법은 폐전지 원료로부터 Cu를 포함하는 불순물을 제거하고 Ni 및 Co를 포함하는 수상을 배출하는 불순물 제거 공정; 상기 Ni 및 Co를 포함하는 수상으로부터 Co를 추출하여 Ni을 포함하는 수상을 배출하는 Co 추출 공정; 및 Ni을 포함하는 수상으로부터 Ni를 추출하는 Ni 추출 공정을 포함하며,상기 불순물 제거 공정은 용매 추출제로서 D2EHPA와 시너지스틱 효과를 나타내는 다른 용매 추출제를 혼합하여 Co와 Cu의 분리 계수를 높이도록 수행될 수 있다.

자가 강성 분포를 가지는 신축기판, 이의 제조방법 및 이의 강성 분포 가변방법

STRETCHABLE SUBSTRATE HAVING AUTONOMOUS STRAIN DISTRIBUTION, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR CHANGING STRAIN DISTRIBUTION OF THE SAME

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  10-2024-0140705

• 출원일

  2024-10-15

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  10-2025-0146913

• 공개일

  2025-10-13

자가 강성 분포를 가지는 신축기판, 이의 제조방법 및 이의 강성 분포 가변방법에서, 상기 신축기판은 서로 다른 영역으로 구획되는 강성 유지부와 강성 가변부를 포함한다. 또한, 상기 신축기판은 기 설정된 온도 이하에서만 상기 강성 유지부 및 상기 강성 가변부가 기 설정된 강성을 유지한다. 상기 강성 가변부는 기 설정된 온도 이상에서 기 설정된 강성보다 강성이 낮아져 신축 가능하도록 변형된다.

2단자 연신성 터치 어레이 센서 및 그의 제조방법

TWO-TERMINAL STRETCHABLE TOUCH ARRAY SENSOR AND PREPARING METHOD OF THE SAME

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  10-2023-0129015

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  2023-09-26

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  10-2025-0045733

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  2025-04-02

• 등록번호

  10-2813282

• 등록일

  2025-05-22

본 발명은 2단자 연신성 터치 어레이 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 2단자 연신성 터치 어레이 센서는, 제1 탄성 기판에 임베디드된 상부 전극 패턴을 포함하는 상부 전극; 제2 탄성 기판에 임베디드된 하부 전극 패턴을 포함하는 하부 전극; 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 게재된 스페이서; 및 상기 상부 전극 패턴의 말단 및 상기 하부 전극 패턴의 말단의 동일한 위치에 각각 포함된, 제1 단자 및 제2 단자;를 포함한다.

저-복잡도 MIMO-OFDM 채널 등화를 위한 방법 및 장치

METHOD AND APPARATUS FOR LOW-COMPLEXITY MIMO-OFDM CHANNEL EQUALIZATION

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  10-2024-0107028

• 출원일

  2024-08-09

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  10-2026-0023351

• 공개일

  2026-02-20

일 실시예에 따라서, OFDM 시스템에서 신호를 수신하는 전자 장치의 방법은, 시간 영역에서 인접하는 복수의 OFDM 심볼들 및 주파수 영역에서 인접하는 복수의 부반송파(subcarrier)들로 구성된 자원 블록(resource block) 내에 속하는 복조 기준 신호들을 기반으로 공통 채널 추정치를 결정하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 방법은, 상기 공통 채널 추정치를 기반으로 수신 신호의 차원을 감소시키기 위한 포트 감소 필터를 결정하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 방법은, 상기 포트 감소 필터를 통과한 수신 신호를 기반으로 공분산 행렬을 결정하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치의 방법은, 상기 포트 감소 필터 및 상기 공분산 행렬을 기반으로 채널 등화(channel equalization)를 수행하는 동작을 포함할 수 있다.

반양극성 소자를 이용한 논리 회로 및 이의 동작 방법

Logic Circuit of using Anti-Ambipolar Device and Method of operating the same

• 출원번호

  10-2025-0004521

• 출원일

  2025-01-13

• 공개번호

  10-2025-0147625

• 공개일

  2025-10-13

활성층이 pn 접합을 가지고, 특정 범위에 게이트 전압이 분포되는 경우에 한해 턴온 동작이 수행되는 반양극성 트랜지스터를 사용하는 논리 회로 및 이의 동작 방법이 개시된다. p형 반도체층과 n형 반도체층의 접합으로 구성된 활성층은 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 전압 또는 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압에 의해 활성화 상태가 정의될 수 있으며, 이를 통해 논리 연산이 이루어진다.

인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 강유전 메모리의 제조방법

SEMICONDUCTOR THIN FILM COMPRISING INDIUM-SELENIDE COMPOUND, THIN FILM TRANSISTOR COMPRISING SAME AND METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY COMPRISING SAME

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  10-2024-0135877

• 출원일

  2024-10-07

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  10-2025-0071165

• 공개일

  2025-05-21

인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 강유전 메모리의 제조방법이 개시된다. (a) 인듐, 셀레늄 및 In2Se3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 증착 소스를 열증발(thermal evaporation)의 증착 방법으로 기판 상에 증착하여 코팅층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 코팅층을 열처리로 어닐링(annealing)하여 화학식 1로 표시되는 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 반도체 박막의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제조방법에 따라 열증발 공정의 증착방법을 사용하여 InxSey 채널 층을 기반으로 제작된 박막트랜지스터(TFT)는 높은 전자 전계 효과 이동도 및 7x108의 높은 온/오프 전류 비율로 우수한 출력/전달 특성과 우수한 전기적 성능을 나타내는 효과가 있다.