저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

Resistive random access memory device and method of manufacturing the same

• 출원번호

  10-2012-0134266

• 출원일

  2012-11-26

• 등록번호

  10-1382835

• 등록일

  2014-04-01

저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 저항 변화 메모리 소자의 제조방법은 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계, 하부전극 상에 저항변화층을 형성하는 단계, 저항변화층에 고압 수소 열처리를 수행하여, 저항변화층 내에 수소 원자를 도입하는 단계 및 고압 수소 열처리된 저항변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여, 간단하고 용이하게 저항변화층 내에 인위적으로 풍부한 산소 공공을 형성시킴으로써 포밍 전압(forming voltage)을 감소시킬 수 있으며, 산소 공공에 의한 전도성 필라멘트의 생성 위치를 한정시켜 스위칭 동작의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 저항 변화 메모리 소자는 하부전극, 하부전극 상에 배치되는 저항변화층 및저항변화층 상에 배치되는 상부전극을 포함하되, 저항변화층은 산소 공공이 밀집 정렬되어 형성된 산소 공공 클러스터와, OH- 이온을 포함하여, 고압 수소 열처리시 첨가된 수소 원자에 의해 저항변화층 내에 형성된 OH- 이온은 산소 이온보다 높은 이동도를 가지므로, 스위칭 동작시 스위칭 속도를 향상시킬 수 있다.

생체 내 활용 가능한 하이드로겔 조성물 및 이의 제조방법

Bioavailable hydrogel composition and preparation method thereof

• 출원번호

  10-2021-0179499

• 출원일

  2021-12-15

• 공개번호

  10-2023-0090600

• 공개일

  2023-06-22

• 등록번호

  10-2765351

• 등록일

  2025-02-05

본 발명은 (ⅰ) 친수성 천연고분자 및 이에 공유결합된 가교성 화합물을 함유하는 천연고분자-가교 화합물; 및 (ⅱ) 다가알코올을 포함하는 하이드로겔 조성물에 관한 것으로, 상기 하이드로겔 조성물을 이용하여 안내 주입이 용이하고, 빠른 자가 경화 능력으로 인하여 하이드로겔 형성 능력이 우수하며, 생리학적 환경에서 유리체와 매우 유사한 굴절률을 지니면서 투명도 또한 높아 안내 주입 후 즉각적인 시력 회복이 가능하며, 액체 주입형 수술 과정에서 발생하는 기포의 제거 능력이 우수할 뿐만 아니라, 인체에서 독성을 일으키지 않아 생체 적합성이 우수한 유리체 대체용 이식체로 응용할 수 있다.

탈세포화 반응 장치

DECELLULARIZATION REACTOR

• 출원번호

  10-2022-0177587

• 출원일

  2022-12-16

• 공개번호

  10-2024-0094907

• 공개일

  2024-06-25

탈세포화 반응 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 탈세포화 반응 장치는, 내부에 탈세포화 대상 이종장기의 조직을 수용하기 위한 메시 챔버, 탈세포화 용액을 저장하기 위한 적어도 하나 이상의 반응 용기, 탈세포화 용액을 반응 용기의 내, 외부로 순환시키면서 이 순환되는 탈세포화 용액의 각종 물성을 인-시튜로 분석하기 위한 제1 반응기를 포함한다.

어족 기반 지식 증류 기법을 적용한 다국어 신경망 기계 번역 시스템, 장치 및 방법

Multilingual neural network machine translation system and applying family-based knowledge distillation technique apparatus and method thereof

• 출원번호

  10-2021-0097108

• 출원일

  2021-07-23

• 공개번호

  10-2023-0015675

• 공개일

  2023-01-31

• 등록번호

  10-2561817

• 등록일

  2023-07-26

본 발명의 어족 기반 지식 증류 기법을 적용한 다국어 신경망 기계 번역 시스템은, 언어의 어족 정보를 활용한 지식 증류 기법으로 다국어 기계 번역을 수행하는 어족 기반 지식 증류 기법을 적용한 다국어 신경망 기계 번역 시스템에 있어서, m 개의 유사 어족에 속한 언어들을 입력 소스(source)로, 제1 언어를 대상 타겟(target)으로 번역하는 적어도 하나 이상의 다국어 교사 모델 및 n 개의 이질 어족에 속한 언어들을 입력 소스(source)로, 제1 언어를 대상 타겟(target)으로 번역하는 적어도 하나 이상의 다국어 학생 모델을 포함한다.

삼중 응답 나노 모터, 이의 제조에 사용되는 조성물 및 이의 제조방법

TRIPLE-RESPONSIVE NANO MOTORS, COMPOSITIONS OF AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• 출원번호

  10-2021-0188029

• 출원일

  2021-12-27

• 공개번호

  10-2022-0039643

• 공개일

  2022-03-29

• 등록번호

  10-2449516

• 등록일

  2022-09-27

본 발명의 삼중 응답 나노 모터는 열(Thermophoretic), 촉매(Catalyst) 및 자기 운동(Magnetic movement)에 의해 구동되고, 미세유체 시스템(microfluidics system)으로부터 제조되어 수득량 및 피커링 효율(Pickering efficiency)이 우수한 것을 특징으로 하는 삼중 응답 나노 모터, 삼중 응답 나노 모터의 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

네프론 유사 구조를 갖는 신장 오가노이드 및 이의 제조 방법

Kidney Organoids Having a Nephron-like Structure and Methods of Preparing the Same

• 출원번호

  10-2020-0039625

• 출원일

  2020-04-01

• 등록번호

  10-2285598

• 등록일

  2021-07-29

본 발명은 본 발명은 네프론 유사 구조를 갖는 신장 오가노이드 및 이의 제조 방법 등에 관한 것이다. 본 발명에 따른 신장 dECM 하이드로겔을 이용한 신장 오가노이드 배양 시스템은 신장 오가노이드의 혈관화를 유도하고 족세포, 관상 수송체 및 섬모 유전자의 발현을 유도하였으며, 더 성숙한 네프론 유사 구조를 형성시키는 효과가 있다. 따라서 본 발명의 방법에 의해 제조된 신장 오가노이드는 인간에게 이식하여 네프론 소실을 치료하기 위한 옵션으로서, 생체 외 신장 모델로 칩 상의 신장(kidney on a chip)으로서 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

P형 SiC 입자를 이용한 SiC MOSFET의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 SiC MOSFET

MANUFACTURING METHOD FOR SiC MOSFET USING P-DOPED POWDER AND SiC MOSFET MANUFACTURED USING THE SAME

• 출원번호

  10-2018-0173370

• 출원일

  2018-12-31

• 공개번호

  10-2020-0082622

• 공개일

  2020-07-08

• 등록번호

  10-2141030

• 등록일

  2020-07-29

본 발명은, 입자 충격 고화 현상을 이용하여 상온에서도 높은 속도로 트렌치를 채울 수 있는 SiC MOSFET을 제조하는 방법 및 이를 이용하여 제조한 SiC MOSFET에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은, SJ(super-junction) 구조 MOSFET의 제조 방법에 있어서, N형 도펀트(dopant)로 도핑된 기판(substrate)을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 드리프트층을 형성하는 단계, 상기 기판과 상기 드리프트층에 트렌치를 형성하는 단계, 및 파우더를 상기 형성된 트렌치에 충돌시켜 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 MOSFET에 관한 것이다.

압력센서, 그를 포함하는 압력센서 매트릭스 어레이 및 그의 제조방법

PRESSURE SENSOR, PRESSURE SENSOR MATRIX ARRAY COMPRISING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• 출원번호

  10-2017-0093970

• 출원일

  2017-07-25

• 공개번호

  10-2019-0011431

• 공개일

  2019-02-07

• 등록번호

  10-1982177

• 등록일

  2019-05-20

본 발명은 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 위치하고 전도체를 포함하는 전도층과, 상기 전도층 상에 위치하고 상기 전도층과 접하거나 이격되고 고분자 및 상기 고분자에 분산된 반도체를 포함하는 활성층 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 압력센서, 그를 포함하는 압력센서 매트릭스 어레이 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 압력센서 및 압력센서 매트릭스 어레이는, 저항에 대하여 높은 민감도의 반응성을 가진 압력 센서 매트릭스에서 픽셀 간 전기적 누화를 정류 계면을 이용하여 제거하여 고해상도 압력센서 배열을 만들 수 있으며, 또한 공정 비용과 공정의 복잡도를 줄여서 산업적인 적용에 유리한 효과가 있다.

어순 조정 및 형태소 차이에 기반한 통계 기반 기계 번역 시스템 및 그 방법

Statistical Machine Translation System based on Word Reordering and Morpheme Difference and Method thereof

• 출원번호

  10-2014-0077998

• 출원일

  2014-06-25

• 공개번호

  10-2016-0000632

• 공개일

  2016-01-05

• 등록번호

  10-1670995

• 등록일

  2016-10-25

어순 조정 및 형태소 차이에 기반한 통계 기반 기계 번역 시스템 및 그 방법이 개시된다. 이 시스템에서 어순 조정부는 기계 번역의 전처리 과정으로, 번역 대상의 제1 원문을 입력받아서 어순 조정을 명시한 계층 구조를 사용하여 어순 조정된 제2 원문을 생성하여 출력한다. 통계 기반 기계 번역부는 상기 어순 조정부에서 출력되는 제2 원문에 대한 통계 기반의 기계 번역을 수행하여 상기 제1 원문에 대응되는 번역문을 생성하여 출력한다.

수직적층구조의 3차원 정적램 코어 셀 및 그를 포함하는 정적램 코어 셀 어셈블리

3D SRAM CORE CELL HAVING VERTICAL STACKING STRUCTURE AND CORE CELL ASSEMBLY COMPRING THE SAME

• 출원번호

  10-2015-0188828

• 출원일

  2015-12-29

• 공개번호

  10-2017-0078373

• 공개일

  2017-07-07

• 등록번호

  10-1855846

• 등록일

  2018-05-02

게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 갖는 6개의 박막 트랜지스터로 구성되는 정적램 코어셀이고, 정적램 코어셀은 비트라인과 워드라인에 각각 연결되어 데이터의 기록 및 독출을 선택하는 2개의 스위칭용 박막트랜지스터; 및 전원전압(Vdd) 또는 접지전압(Vss)에 연결되어 데이터가 기록 및 독출되는 4개의 데이터 저장용 박막 트랜지스터를 포함하고, 정적램 코어셀은 6개의 박막 트랜지스터 중에서 선택된 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터층; 제1 트랜지스터층 상에 위치하고, 나머지 4개의 박막 트랜지스터 중에서 선택된 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 트랜지스터층; 및 제2 트랜지스터층 상에 위치하고, 나머지 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제3 트랜지스터층;을 포함하고, 제1 트랜지스터층의 1종 이상의 전극과 제2 트랜지스터층의 1종 이상의 전극이 전기적 연결되고, 제2 트랜지스터층의 1종 이상의 전극과 제3 트랜지스터층의 1종 이상의 전극이 전기적 연결된 것인 수직적층구조의 3차원 정적램 코어셀이 제공된다. 이에 의하여, 본 발명의 수직적층구조의 3차원 정적램 코어셀은 동일한 평면상에 동일한 타입의 유기트랜지스터를 배치하여 수직으로 적층시킴으로써 메모리소자 제조시 상이한 타입의 유기 트랜지스터를 형성하기 위한 복잡한 패터닝 공정을 생략하고, 메모리소자가 차지하는 면적을 줄여 반도체 회로의 집적도를 향상시킬 수 있다.