플루오렌 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 포함하는 HCV 관련 질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물

Fluorene derivatives or pharmaceutically acceptable salts thereof, preparation method thereof and pharmaceutical composition for use in preventing or treating hepatitis C virus related diseases containing the same as an active ingredient

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  10-2018-0112832

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  2018-09-20

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  10-2019-0034107

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  2019-04-01

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  10-2168124

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  2020-10-14

본 발명은 플루오렌 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 포함하는 HCV 관련 질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플루오렌 유도체는 HCV에 대하여 항 바이러스 성능을 나타낼 뿐만 아니라, HCV 돌연변이, 특히, 이중 돌연변이에 대하여도 높은 항바이러스 성능을 나타냄을 확인하여, HCV에 의해 발병되는 급성 C형 간염, 만성 C형 간염, 간경변, 간세포성 암 등의 간질환, 특히 HCV의 돌연변이가 발생한 간질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물로 사용될 수 있으며, 기존 치료제의 내성 돌연변이 문제를 해결한 HCV 관련 간질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.

수직형 논리곱 가중치 소자 및 그의 동작 방법

Vertical AND-weight device and operating method thereof

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  10-2017-0124869

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  2017-09-27

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  10-2019-0036077

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  2019-04-04

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  10-2005631

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  2019-07-24

본 발명은 기판, 기판 상에 수직으로 신장한 복수 개의 워드 라인들, 상기 워드 라인들에 인접한 적층 구조체 및 상기 워드 라인들과 상기 적층 구조체 사이에 형성되는 강유전체층들을 포함하고, 상기 적층 구조체는 드레인 전극층, 금속 산화물 반도체층, 소오스 전극층 및 절연층이 순차적으로 적층된 단위 적층구조들을 포함하고, 상기 강유전체층은 상기 워드 라인들과 상기 드레인 전극층 및 소오스 전극층이 교차하는 지점들에서 각각의 워드 라인과 각각의 상기 드레인 전극층 및 소오스 전극층 사이에 개재되는 영역으로 정의되는 가중치 노드들을 포함하는 수직형 논리곱 가중치 소자 및 이의 동작 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 수직형 논리곱 가중치 소자는 고집적도를 가지는 비휘발성 메모리로서, 멀티-레벨 값의 가중치 저장이 가능하며, 행렬-벡터 곱셈이 가능하여 오프-칩 러닝 시스템의 단말기에 이용될 수 있다.

듀플렉스 고체전해질막의 제조방법, 이에 의해 제조된 듀플렉스 고체전해질막 및 이를 이용한 전고체전지의 제조방법

MANUFACTURING METHOD OF DUPLEX SOLID ELECTROLYTE MEMBRANE, DUPLEX SOLID ELECTROLYTE MEMBRANE THEREOF AND MANUFACTURING METHOD ALL SOLID STATE CELL THEREOF

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  10-2016-0120456

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  2016-09-21

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  10-2018-0031949

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  2018-03-29

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  10-1876059

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  2018-07-02

본 발명은 고밀도 고체전해질층의 양면 또는 일면에 다공성 고체전해질층을 형성함으로써 고체전해질로 사용되는 금속산화물 또는 인산화물 간의 물리적 접촉 상태를 개선하는 듀플렉스 고체전해질막의 제조방법과 이에 의해 제조된 듀플렉스 고체전해질막 및 이를 이용한 전고체전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 다공성 고체전해질층을 형성함으로써, 소결시 고밀도 고체전해질의 수축률의 차이를 줄이고, 깊이에 따른 기공률의 구배를 줌으로써 엽렬 현상을 방지하여 고체전해질 간의 우수한 접촉 상태를 달성할 수 있다.

싸이오펜 중합체 조성물, 및 이를 포함하는 유기광전자소자

POLYTHIOPHENE COMPOSITION, AND ORGANIC PHOTOELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

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  10-2014-0134407

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  2014-10-06

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  10-2016-0041144

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  2016-04-18

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  10-1709199

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  2017-02-16

싸이오펜 중합체 조성물, 및 이를 포함하는 유기광전자소자에 관한 것으로, 소수성 싸이오펜 중합체; 풀러렌 유도체; 양친성 싸이오펜 블록 혼성중합체; 및 금속이온;을 포함하고, 상기 양친성 싸이오펜 블록 혼성중합체는 소수성 싸이오펜 중합체 블록 및 친수성 싸이오펜 중합체 블록을 포함하는 것인, 싸이오펜 중합체 조성물, 이를 유기 활성층에 포함하는 유기광전자소자를 제공할 수 있다.

소수성을 가지는 선형구조체와 그 제조방법 및 선형구조체를 이용한 섬유막

Anti-wettable linear structure, method of making the same and fibrous membrane using the same

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  10-2013-0006550

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  2013-01-21

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  10-2014-0094713

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  2014-07-31

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  10-1437871

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  2014-08-29

본 발명은 소수성을 가지는 선형구조체와 그 제조방법 및 선형구조체를 이용한 섬유막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 선형구조체는 선형으로 이루어져 있으며 신축성을 가진 제1층; 상기 제1층 상에 형성되어 있으며 돌기를 형성하고 있는 제2층; 상기 제2층 상에 형성되어 있으며, 상기 제2층보다 표면에너지가 작은 제3층을 포함한다.

그래핀 열전소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 그래핀 열전소자

MANUFACTURING METHOD FOR GRAPHENE THERMOELECTRIC ELEMENTS AND THE GRAPHENE THERMOELECTRIC ELEMENTS THEREBY

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  10-2022-0119372

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  2022-09-21

• 등록번호

  10-2691273

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  2024-07-30

그래핀 열전소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 그래핀 열전소자가 제공된다. 상기 그래핀 열전소자의 제조방법은 기판 상에 그래핀 채널층을 형성하는 단계, 상기 그래핀 채널층의 양단부에 제 1전극 및 제 2전극을 증착하여 열전구조체를 형성하는 단계 및 상기 열전구조체를 도핑용액에 침지하여 상기 그래핀 채널층을 도핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

극자외선 펠리클 특성 평가 장치

An apparatus for property evaluation of EUV pellicle

• 출원번호

  10-2021-0026300

• 출원일

  2021-02-26

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  10-2022-0122104

• 공개일

  2022-09-02

• 등록번호

  10-2587210

• 등록일

  2023-10-04

본 발명은 극자외선 펠리클 특성 평가 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선 펠리클 특성 평가 장치는, 입사된 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 광선을 제1 EUV 광선과 제2 EUV 광선으로 분할하는 스플리터; 상기 제1 EUV 광선이 조사된 극자외선 펠리클을 투과하여 생성된 EUV 투과 광선을 측정하는 제1 광측정 센서; 상기 제1 EUV 광선이 조사된 극자외선 펠리클로부터 반사되어 생성된 EUV 반사 광선을 측정하는 제2 광측정 센서; 및 상기 EUV 투과 광선을 이용하여 상기 극자외선 펠리클의 투과율을 산출하고, 상기 EUV 반사 광선을 이용하여 상기 극자외선 펠리클의 반사율을 산출하는 제어부;를 포함할 수 있다.

압축 센싱 복원을 위한 저지연 부공간 추종 장치 및 방법

LOW-LATENCY SUBSPACE PURSUIT APPARATUS AND METHOD FOR RESTORING COMPRESSIVE SENSING

• 출원번호

  10-2020-0150399

• 출원일

  2020-11-11

• 공개번호

  10-2022-0064177

• 공개일

  2022-05-18

• 등록번호

  10-2476153

• 등록일

  2022-12-06

압축 센싱 복원을 위한 부공간 추종 장치가 개시된다. 압축 센싱 복원을 위한 부공간 추종 장치는 잔차 계산 유닛에 저장되어 있는 잔차 벡터와 센싱 매트릭스 메모리에 저장되어 있는 센싱 행렬의 열 벡터들과의 내적을 수행하며 상관관계를 계산하는 제1 내적 유닛과, 제1 내적 유닛의 출력단에 연결되고 제1 내적 유닛에서 계산된 상관관계 값들을 받아 상관관계가 가장 큰 K(희소성 레벨) 개의 열 벡터 인덱스를 선택하는 제1 정렬 유닛과, 센싱 행렬 메모리의 센싱 행렬로부터, 희소 해(sparse solution) 추정 과정에서 최소제곱법 문제를 풀 때 필요한 의사 역행렬 계산을 위한 행렬을 계산하여 그람 행렬 버퍼에 저장하는 제2 내적 유닛과, 그람 행렬 버퍼에 저장되어 있는 행렬을 숄레스키 분해하고 분해된 행렬의 역행렬을 계산하는 숄레스키 역행렬 유닛과, 계산된 역행렬에 기초하여 그람 행렬 버퍼에 있는 행렬의 행렬 값에서 희소해를 추정하는 희소해 추정모듈을 포함한다.

다중 객체 추적 방법 및 장치

APPARATUS AND METHOD FOR TRACKING MULTIPLE OBJECTS

• 출원번호

  10-2019-0165373

• 출원일

  2019-12-12

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  10-2021-0074569

• 공개일

  2021-06-22

• 등록번호

  10-2311798

• 등록일

  2021-10-05

본 발명은 통합 유사도 신경망을 포함하는 다중 객체 추적 장치를 활용하여 영상에 포함된 다중 객체를 추적하는 방법으로서, 입력된 영상으로부터 추적 영역을 설정하는 단계; 상기 추적 영역에서 추적 대상이 되는 객체에 대한 객체 후보를 하나 이상 추출하는 단계; 추적 대상이 되는 객체, 상기 객체 후보 및 상기 추적 영역에 대한 기준 특징을 추출하는 단계; 상기 추적 대상이 되는 객체, 상기 객체 후보 및 상기 추적 영역 중 두 개를 선정하여 상기 기준 특징을 기초로 유사도를 평가하는 단계; 상기 평가된 유사도에 기반하여 상기 추적 대상이 되는 객체에 상기 객체 후보를 할당하는 단계; 및 할당된 객체 후보의 위치에 기반하여 추적 대상이 되는 객체를 추적하는 단계를 포함하는, 다중 객체 추적 방법을 개시한다.

가압 패턴을 이용하여 결정성을 향상시키는 SiC MOSFET의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 SiC MOSFET

MANUFACTURING METHOD FOR SiC MOSFET INCLUDING HEAT PROCESSING TREATMENT FOR ENHANCED CRYSTALLINITY OF PILLAR STRUCTURE AND SiC MOSFET MANUFACTURED USING THE SAME

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  10-2018-0173380

• 출원일

  2018-12-31

• 공개번호

  10-2020-0082627

• 공개일

  2020-07-08

• 등록번호

  10-2166666

• 등록일

  2020-10-12

본 발명은, 입자 충격 고화 현상을 이용하여 상온에서도 높은 속도로 트렌치를 채울 수 있는 SiC MOSFET을 제조하는 방법 및 이를 이용하여 제조한 SiC MOSFET에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은, SJ(super-junction) 구조 MOSFET의 제조 방법에 있어서, N 타입 도펀트(dopant)로 도핑된 기판(substrate)을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 드리프트층을 형성하는 단계, 상기 기판과 상기 드리프트층에 트렌치를 형성하는 단계, 파우더를 상기 형성된 트렌치에 충돌시켜 채워 필러(pillar)를 형성시키는 단계, 및 상기 형성된 필러의 결정성을 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 MOSFET에 관한 것이다.