안테나 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

ANTENNA DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

• 출원번호

  10-2019-0039637

• 출원일

  2019-04-04

• 공개번호

  10-2020-0117481

• 공개일

  2020-10-14

• 등록번호

  10-2348470

• 등록일

  2022-01-04

본 발명의 실시예들의 안테나 소자는 유전층, 유전층의 상면 상에 배치되며 방사 전극 및 방사 전극과 연결된 전송 선로를 포함하는 안테나 패턴, 유전층의 상면 상에서 안테나 패턴과 분리되어 안테나 패턴을 적어도 부분적으로 둘러싸는 더미 전극, 및 더미 전극 내에서 안테나 패턴 주변에 배열된 블로킹 패턴을 포함한다. 블로킹 패턴을 통해 더미 전극으로부터의 방사 간섭을 방지하여 방사 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

에피텍셜 구조를 갖는 소스/드레인 영역이 축소된 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

• 출원번호

  10-2019-0074877

• 출원일

  2019-06-24

• 등록번호

  10-2183131

• 등록일

  2020-11-19

본 발명은 소스/드레인 영역의 크기를 축소하여 레이아웃 상에 발생하는 트랜지스터 간의 에피텍셜 구조의 겹침 현상을 방지하여 단위면적 당 트랜지스터의 수를 증가시키고 추가 마스크 공정이 없어 공정 단가를 그대로 유지할 수 있도록 제작이 가능한 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법을 개시한다.

방사성폐기물 고화체 균질도 검사방법 및 이의 장치

A homogeneity test method of solidified radioactive waste and its apparatus

• 출원번호

  10-2018-0045336

• 출원일

  2018-04-19

• 등록번호

  10-2025555

• 등록일

  2019-09-20

본 발명은 방사성폐기물 고화체 균질도 검사방법으로서, (a) 균질한 방사성 선원 분포를 갖도록 설정된 표준 방사성폐기물 고화체 외측면의 소정의 지점에서의 표준상대계수율이 소정의 수식으로 계산되는 단계; (b) 실측 방사성폐기물 고화체 외측면의 소정의 지점에서의 실측상대계수율이 소정의 수식으로 계산되는 단계; 및 (c) 상기 (a) 단계에서 계산된 표준상대계수율과 상기 (b) 단계에서 계산된 실측상대계수율이 소정의 수식의 변수로 입력되어 상기 실측 방사성폐기물 고화체의 균질도가 계산되는 단계를 포함한 방사성폐기물 고화체 균질도 검사방법에 관한 것이다.

비귀금속 촉매 및 그 제조 방법

NON-NOBLE METAL BASED CATALYST AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• 출원번호

  10-2016-0175354

• 출원일

  2016-12-21

• 공개번호

  10-2018-0072122

• 공개일

  2018-06-29

• 등록번호

  10-1894920

• 등록일

  2018-08-29

연료전지용 전극 재료로 사용되는 비귀금속 촉매 및 그 제조 방법에 대한 발명입니다. 일 측면에 따른 연료전지 전극용 비귀금속 촉매는 제 1 기공과 상기 제 1 기공보다 작은 제 2 기공이 형성된 다공성 탄소를 포함하고, 제 1 기공은 5 내지 100 nm 범위의 크기를 가지며, 제 1 기공의 내벽에 비귀금속 촉매 활성점이 도입된 것을 포함한다.

당뇨병 치료용 약학적 조성물

Pharmaceutical composition for treating diabetes

• 출원번호

  10-2015-0103713

• 출원일

  2015-07-22

• 공개번호

  10-2017-0012682

• 공개일

  2017-02-03

• 등록번호

  10-1737051

• 등록일

  2017-05-11

본 발명은 당뇨병 치료용 약학적 조성물에 관한 것으로서, 구체적으로 2,2,2-트리클로로에틸 포름아마이드 유도체(N-(2,2,2-trichloroethyl)formamide derivative)를 유효성분으로 함유하는 당뇨병 치료용 약학적 조성물을 제공한다.

3차원 가상 간 수술 계획 시스템

3D VIRTUAL LIVER SURGERY PLANNING SYSTEM

• 출원번호

  10-2013-0022881

• 출원일

  2013-03-04

• 공개번호

  10-2013-0100758

• 공개일

  2013-09-11

• 등록번호

  10-1481796

• 등록일

  2015-01-06

본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 가상 간 수술 계획 시스템은, PACS 서버로부터 복부 CT 볼륨 데이터 세트를 수신 받는 DICOM 수신 모듈과, 상기 수신된 복부 CT 볼륨 데이터 세트를 로딩하고 노이즈를 제거하는 DICOM 로딩 및 노이즈 제거 모듈과, 상기 노이즈가 제거된 복수 CT 볼륨 데이터 세트로부터 표준 간용적(SLV)을 추정하는 표준 간용적 추정 모듈과, 3차원 간 영역을 추출하는 간 추출 모듈과, 간문맥, 간동맥, 간정맥, 그리고 하대정맥(IVC)을 포함하는 3차원 혈관 영역을 추출하는 혈관 추출 모듈과, 3차원 종양 영역을 추출하는 종양 추출 모듈과, 상기 추출된 3차원 간 영역을 사용자가 선정한 참조점 또는 구형 편집 도구에 의해 복수 개의 구획으로 구분하는 간 구획화 모듈과, 절단 평면, 간 구획, 또는 구형 편집 도구를 활용해 3차원 간 수술 계획을 수행하는 간 수술계획 모듈을 포함한다.

비정질 텔루륨 옥사이드를 포함하는 반도체, 그를 포함하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법

SEMICONDUCTOR INCLUDING AMORPHOUS TELLURIUM OXIDE, THIN FILM TRANSITOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

• 출원번호

  10-2023-0068542

• 출원일

  2023-05-26

• 공개번호

  10-2024-0022398

• 공개일

  2024-02-20

• 등록번호

  10-2707329

• 등록일

  2024-09-11

본 발명은 비정질 텔루륨 옥사이드를 포함하는 반도체층, 그를 포함하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법이 개시된다. 상기 반도체는 황 원자(S) 및 셀레늄 원자(Se)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 칼코겐 원자; 및 텔루륨(Te) 원자 및 텔루륨 옥사이드를 포함하는 텔루륨 복합체;를 포함함으로써, TeOx 채널 층을 기반으로 제작된 박막트랜지스터(TFT)는 높은 정공 전계 효과 이동도 및 ~107의 높은 온/오프 전류 비율로 우수한 출력/전달 특성과 우수한 전기적 성능을 나타내는 효과가 있다.

피드 포워드 등화기 및 이를 포함하는 시스템

Feed forward equalizer and a system comprising the same

• 출원번호

  10-2022-0108990

• 출원일

  2022-08-30

• 공개번호

  10-2023-0157842

• 공개일

  2023-11-17

본 개시의 기술적 사상에 따른 피드 포워드 등화기는, 상호 직렬 연결되고 입력 신호를 지연시키도록 구성된 복수의 지연 회로들, 복수의 지연 회로들 중 제1 지연 회로의 출력인 기준 출력을 제외한 복수의 지연 회로들의 출력들 및 입력 신호 각각에 대응하는 복수의 필터들 및, 기준 출력 및 복수의 필터들의 출력들을 합산하도록 구성된 연산기를 포함할 수 있고, 복수의 필터들 각각은, 복수의 필터들 중 자신에 대응하는 지연 회로의 출력 및 기준 출력을 수신할 수 있다.

임피던스 특성을 결정하는 방법 및 디바이스

A METHOD AND A DEVICE FOR DETERMINING IMPEDANCE CHARACTERISTICS

• 출원번호

  10-2021-0047638

• 출원일

  2021-04-13

• 공개번호

  10-2022-0141471

• 공개일

  2022-10-20

• 등록번호

  10-2496569

• 등록일

  2023-02-01

일 실시 예에 따르면, 임피던스 특성 결정 방법에 있어서, 관심 주파수 범위에 대한 에너지 크기를 나타내는 주파수 도메인에서의 테스트 신호를 결정하는 단계; 상기 테스트 신호를 시간 도메인에서 나타내는 임펄스 신호를 획득하는 단계; 상기 임펄스 신호를 전해질에 부착된 제 1 전극에 인가하는 단계; 상기 전해질에 부착된 제 2 전극에서 획득되는 응답 신호에 기초하여 상기 관심 주파수 범위에 대한 응답 크기를 획득하는 단계; 및 상기 응답 크기에 기초하여 상기 제 1 전극과 상기 전해질 사이의 임피던스 특성을 결정하는 단계;를 포함하는, 방법이 제공된다.

저전력 삼진 논리 회로 장치

APPARATUS FOR LOW POWER TERNARY LOGIC CIRCUIT

• 출원번호

  10-2020-0129024

• 출원일

  2020-10-06

• 등록번호

  10-2348169

• 등록일

  2022-01-03

일 실시예에 따른 스태틱 삼진 게이트는, 제1 풀업 회로가 턴온되면 드레인 전압을 제1 트랜지스터를 통해 출력하고, 제1 풀다운 회로가 턴온되면 접지 전압을 제2 트랜지스터를 통해 출력하는 드레인-접지 경로, 및 제2 풀업 회로 및 제2 풀다운 회로가 둘 다 턴온되면 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 통해 하프 드레인 전압을 출력하는 하프 드레인 경로를 포함하고, 제1 트랜지스터는 상기 제1 풀업 회로 및 상기 제2 풀다운 회로 사이의 노드를 출력 단자에 연결하며, 제2 트랜지스터는 제2 풀업 회로 및 제1 풀다운 회로 사이의 노드를 상기 출력 단자에 연결할 수 있다.