다중 대역 안테나를 포함하는 전자 장치

AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A MULTI BAND ANTENNA

• 출원번호

  10-2018-0174313

• 출원일

  2018-12-31

• 공개번호

  10-2020-0083063

• 공개일

  2020-07-08

• 등록번호

  10-2607579

• 등록일

  2023-11-24

전자 장치가 개시된다. 전자 장치는 제1 방향으로 외부로 향하는 제1 플레이트, 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 외부로 향하는 제2 플레이트, 및 제1 플레이트 및 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재를 포함하는 하우징, 공간에 위치하는 제1 안테나 구조체로서, 제1 가장자리에 형성된 제1 노치 부분을 포함하는 제1 도전성 레이어, 및 제1 도전성 레이어에 실질적으로 수직이고, 제1 가장자리로부터 연장되고, 제1 노치 부분에 연결되는 제2 노치 부분을 포함하는 제1 도전성 벽을 포함하는 제1 도전성 구조체, 제1 노치 부분에 위치하고, 제1 도전성 구조체로부터 전기적으로 분리된 제2 도전성 구조체 및 제1 도전성 레이어와 제1 플레이트 사이에 위치하고, 제1 도전성 구조체 및 제2 도전성 구조체와 전기적으로 분리된 제3 도전성 구조체로서, 제 1 도전성 레이어에 대면하는 제2 도전성 레이어, 제1 도전성 벽에 대면하고, 제2 가장자리로부터 연장되는 제2 도전성 벽, 제3 가장자리 및 제2 도전성 벽에 연결되고, 제2 도전성 레이어 및 제2 도전성 벽에 수직하는 제3 도전성 벽, 및 제4 가장자리 및 상기 제2 도전성 벽에 연결되고, 제2 도전성 레이어 및 제2 도전성 벽에 수직한 제4 도전성 벽을 포함하는 제 3 도전성 구조체; 및 상기 제2 도전성 구조체에 전기적으로 연결되고, 3GHz 내지 100GHz의 주파수를 가지는 신호를 송신 및/또는 수신하도록 구성된 무선 통신 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.

박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• 출원번호

  10-2020-0141007

• 출원일

  2020-10-28

• 공개번호

  10-2022-0056436

• 공개일

  2022-05-06

• 등록번호

  10-2496956

• 등록일

  2023-02-02

본 발명은 게이트 전극을 포함하는 기판; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 cesium tin triiodide (CsSnI3) 또는 methylammonium tin triiodide(MASnI3)을 포함하고, 상기 반도체층은 첨가제를 더 포함하는 박막 트랜지스터를 개시한다.

가중치 비트폭을 탄력적으로 적용할 수 있는 가중치 셀

WEIGHT CELL WITH FLEXIBLE WEIGHT BIT-WIDTH

• 출원번호

  10-2019-0048108

• 출원일

  2019-04-24

• 공개번호

  10-2020-0124585

• 공개일

  2020-11-03

• 등록번호

  10-2351376

• 등록일

  2022-01-11

본 발명의 실시예에 따른 가중치 비트폭을 탄력적으로 적용할 수 있는 가중치 셀은, 제1 워드 라인, 제1 비트 라인, 및 제2 선택 트랜지스터와 연결되는 제1 선택 트랜지스터와, 제2 워드 라인, 제2 비트 라인 및 제1 선택 트랜지스터와 연결되는 제2 선택 트랜지스터와, 제2 비트라인 및 입력과 연결되는 PMOS 트랜지스터를 포함하되, 제1 비트 라인은 출력과 연결되고, 제2 비트 라인은 PMOS 트랜지스터를 통해 입력과 연결되며, 제1 워드 라인은 제1 비트 라인과 직교하여 배치되고, 제2 워드 라인은 제1 워드 라인 및 제2 비트 라인과 직교하여 배치된다.

촉매점, 이를 포함하는 양극 활물질 및 리튬-황 이차전지

Catalytic site, positive electrode active material and lithium-sulfur battery comprising the same

• 출원번호

  10-2017-0069524

• 출원일

  2017-06-05

• 공개번호

  10-2018-0133063

• 공개일

  2018-12-13

• 등록번호

  10-2183658

• 등록일

  2020-11-20

본 발명은 촉매점, 이를 포함하는 양극 활물질 및 리튬-황 이차전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 리튬-황 이차전지의 방전시 양극에서 발생하는 황의 환원반응의 kinetic을 향상시키는 촉매를 포함하는 촉매점을 양극 활물질에 도입함으로써, 리튬-황 이차전지의 고성능화를 구현할 수 있다.

표면 개질된 고분자막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자의 제조방법

METHOD FOR PREPARING SURFACE MODIFIED POLYMER THIN FILM AND METHOD FOR FABRICATING ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME

• 출원번호

  10-2017-0170331

• 출원일

  2017-12-12

• 공개번호

  10-2019-0069946

• 공개일

  2019-06-20

• 등록번호

  10-2026191

• 등록일

  2019-09-23

본 발명은 고분자막을 광조사하면서 광산 발생제(Photoacid generator)로 표면 처리하여 상기 고분자막의 표면에 수산화기(-OH)를 형성하는 단계 (a);를 포함하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 광산발생제를 통해 고분자막에 수산화기(-OH)를 도입함으로써, 고분자막의 손상없이 표면을 개질할 수 있는 효과가 있다. 또한, 표면이 개질된 고분자막을 포함하는 유기전자소자의 전기적 특성 및 안정성이 향상되는 효과가 있다.

초고강도 고망간강 및 이의 제조방법

HIGH MANGANESE STEEL HAVING ULTRA HIGH STRENGTH AND GOOD DUCTILITY AND PREPARATION METHOD FOR THE SAME

• 출원번호

  10-2017-0020287

• 출원일

  2017-02-15

• 공개번호

  10-2018-0066801

• 공개일

  2018-06-19

• 등록번호

  10-1899236

• 등록일

  2018-09-10

본 발명은 마르텐사이트상의 생성을 억제하고, 다중 강화기구가 발현되도록 하는 미세조직 제어를 통해, 초고강도와 동시에 비교적 양호한 연신율을 갖는 고망간강에 관한 것이다. 본 발명에 따른 초고강도 망간강은, Mn 15~20 질량%, C 0.5~1.0 질량%를 포함하고, 미세조직에 있어서, 오스테나이트 상을 주상으로 하며, 상기 오스테나이트 상의 평균 결정립 크기는 200nm 이하이고, 상기 오스테나이트 상에 생성된 쌍정의 평균 두께는 15nm 이하이고, 상기 오스테나이트 상의 결정립계에는 합금성분의 편석에 의한 석출물이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

광음향/초음파 융합 카테터와 이를 이용한 통합 영상 획득 시스템 및 방법

INTEGRATED INTRAVASCULAR PHOTOACOUSTIC/ULTRASOUND CATHETER, AND SYSTEM AND METHOD FOR CO-REGISTERED IMAGING

• 출원번호

  10-2015-0131918

• 출원일

  2015-09-17

• 공개번호

  10-2017-0033743

• 공개일

  2017-03-27

• 등록번호

  10-1737440

• 등록일

  2017-05-12

본 발명은 광음향/초음파 융합 카테터와 이를 이용한 통합 영상 획득 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 회전스테이지(Rotary Stage)와 연결되는 몸체; 및 상기 몸체와 연결되어 광음향/초음파 신호를 얻는 헤드를 포함하되, 상기 헤드는, 광음향/초음파 신호를 주고받을 수 있는 초음파 트랜스듀서; 상기 헤드 및 몸체를 통과하며, 상기 초음파 트랜스듀서 방향으로 레이저를 전달하는 광섬유; 상기 광섬유의 상기 초음파 트랜스듀서 방향의 말단에 접착되어, 상기 광섬유를 통해 전달된 레이저를 목표 세포조직으로 방사형으로 퍼지게 방출하는 프리즘; 및 상기 헤드 및 몸체를 통과하며, 상기 초음파 트랜스듀서와 연결되어 상기 초음파 트랜스듀서를 통해 얻어진 광음향 신호를 영상 처리부로 전달하는 전선을 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 본 발명에서 제안하고 있는 광음향/초음파 융합 카테터와 이를 이용한 통합 영상 획득 시스템 및 방법에 따르면, 초음파 영상과 광음향 영상기법을 융합함으로써, 기존의 단독 초음파 영상이 가지고 있는 다양한 장점을 유지하는 동시에 광음향 영상이 가지고 있는 생리학적 정보 획득, 우수한 명암 대조비 및 공간 분해능 등 새로운 장점을 결합시켜 병변을 기존 방법들에 비해 더욱 정확하게 진단할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 광섬유와 초소형 프리즘을 이용함으로써, 조밀한 카테터 내부 구조에 의해 카테터 크기가 감소하며, 광섬유에서 빛을 방출할 때 방사형으로 퍼지게 함으로써, 동일한 용도의 광학 내시경보다 영상 측정 거리가 깊고, 가변파장 레이저의 한계펄스 속도에 맞춤으로써, 초고속 영상이 가능하여 이전 카테터에 비해 획기적인 효과를 얻을 수 있다.

비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• 출원번호

  10-2013-0146121

• 출원일

  2013-11-28

• 등록번호

  10-1487626

• 등록일

  2015-01-22

멀티층 TiOx의 산소 프로파일 제어를 통해 터널 장벽 특성을 개선함으로써 높은 비선성형,내구성,및 균일도를 가지는 선택소자가 없는 ReRAM 소자가 개시된다. 선택소자가 없는 ReRAM 소자에서 TiOx의 산소 프로파일을 최적화함으로써 1S1R 타입 다바이스에 비해 비선형성 및 리드아웃 마진(1/2 Vread에서 낮은 ILRS)이 현저히 개선된다 그에 더해, 셋과 리셋 모드 모두에 대해 삼각 펄스를 인가하여 현저히 개선된 AC 스위칭 내구성이 얻어진다.

촉매 필터를 채용한 필터링 시스템

Filtering system including catalyst filter

• 출원번호

  10-2023-0030197

• 출원일

  2023-03-07

• 공개번호

  10-2024-0136785

• 공개일

  2024-09-19

필터링 시스템이 개시된다. 개시된 필터링 시스템은, 제1면과 반대의 제2면을 가지는 필터 프레임과 필터 프레임의 제2면에 광촉매층을 구비하는 촉매 필터, 광촉매층을 활성화하기 위한 광을 조사하도록 마련된 광원부, 촉매 필터의 채널 내부로의 광 전달을 증가시키도록, 복수의 채널 중 적어도 일부에 각각 삽입된 복수의 광도파로를 포함한다.

전력 증폭기 및 임피던스 조정 회로

A POWER AMPLIFIER AND AN IMPEDANCE ADJUSTING CIRCUIT

• 출원번호

  10-2017-0018326

• 출원일

  2017-02-09

• 공개번호

  10-2018-0092530

• 공개일

  2018-08-20

• 등록번호

  10-2607105

• 등록일

  2023-11-23

전력 증폭기는, 입력단을 통하여 수신되는 전기적인 신호를 증폭하여, 증폭된 전기적인 신호를 출력단을 통하여 출력하는 소자, 상기 소자의 상기 입력단에 연결되어, 상기 입력단에서의 기본 성분의 주파수에 대한 임피던스를 조정하는 제 1 임피던스 조정 회로, 상기 소자의 상기 입력단에 연결되어, 상기 입력단에서의 체배 고조파 성분의 주파수에 대한 임피던스를 조정하는 제 2 임피던스 조정 회로, 상기 소자의 상기 출력단에 연결되어, 상기 출력단에서의 기본 성분의 주파수에 대한 임피던스를 조정하는 제 3 임피던스 조정 회로, 상기 소자의 상기 출력단에 연결되어, 상기 출력단에서의 체배 고조파 성분의 주파수에 대한 임피던스를 조정하는 제 4 임피던스 조정 회로, 상기 제 1 임피던스 조정 회로에 의한 상기 입력단에서의 체배 고조파 성분의 주파수에 대한 임피던스 변경을 방지하고, 상기 제 2 임피던스 조정 회로에 의한 상기 입력단에서의 기본 성분의 주파수에 대한 임피던스 변경을 방지하는 제 1 주파수 분리 회로 및 상기 제 3 임피던스 조정 회로에 의한 상기 출력단에서의 체배 고조파 성분의 주파수에 대한 임피던스 변경을 방지하고, 상기 제 4 임피던스 조정 회로에 의한 상기 출력단에서의 기본 성분의 주파수에 대한 임피던스 변경을 방지하는 제 2 주파수 분리 회로를 포함할 수 있다.